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650V 30A
JNG15T65FJS1
品牌
JIAENSEMI(佳恩半导体)
封装
TO-220F
类目
IGBT管/模块
编号
C51484240
耗散功率(Pd)
39W
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
30A
集射极饱和电压(VCE(sat))
1.6V@15A,15V

描述特性:650V, 15A。 VCE(sat)(typ) = 1.6V @ VGE = 15V, IC = 15A。 高坚固性性能。 10μs短路能力。 电机控制效率高。 并联运行时具有出色的均流能力。应用:家用电器。 电机驱动

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