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1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
LSI1012XT1G
品牌
LRC(乐山无线电)
封装
SC-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C383275
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
500mA
导通电阻(RDS(on))
700mΩ@4.5V

描述特性:栅源静电放电保护。 高端开关。 低导通电阻:0.7Ω。 低阈值:0.8V(典型值)。 快速开关速度:10ns。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。应用:驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1787
私有库下单最高享92折
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现货最快4小时发货
广东仓
1760

4000/圆盘

总额0

近期成交30单

LSI1012XT1G
LSI1012XT1G
品牌
TC(德昌)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C5357534

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2749
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3000/圆盘

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近期成交3单

N沟道 耐压:20V 电流:850mA
LSI1012XT1G-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SC-75-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22389472
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
850mA
导通电阻(RDS(on))
270mΩ@4.5V;390mΩ@2.5V

描述SC75-3;N—Channel沟道,20V;0.85A;RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth=0.5~1V;

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