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- 碳化硅场效应管(MOSFET)
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- N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.2kV
- 连续漏极电流(Id)
- 22A
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替代参考
描述SIC；TO247；N—Channel沟道,1200V；30A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=18V,VGS=-10/22V；Vth=2.5~4.5V；是一种单N型碳化硅功率MOSFET器件，采用SiC-S技术，适用于电力电子转换器、汽车电子模块等电子领域。
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