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- 栅极驱动芯片
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型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 驱动配置
- 半桥
- 工作电压
- 4.75V~9.5V
- 下降时间(tf)
- 70ns
- 特性
- 欠压保护(UVP);过热保护(OTP)
描述具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器
RoHSSMT扩展库
私有库下单最高享92折
- 收藏
- 对比
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- ¥73.06
需订货
260个/托盘
个
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- 驱动配置
- 半桥
- 负载类型
- MOSFET
- 工作电压
- 4.75V
- 特性
- 欠压保护(UVP);过热保护(OTP)
描述具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器
RoHS
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- 对比
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订货10-14个工作日
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个
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- 对比
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需订货
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