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- 类目
- 达林顿晶体管阵列
- 品牌
- HGSEMI(华冠)
- Corebai(芯佰微)
- onsemi(安森美)
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 通道数
- 七路
- 集电极电流(Ic)
- 500mA
- 工作温度
- -20℃~+85℃
- 集电极漏电流(Icex)
- 50uA
描述这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 MC1413，B 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。
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替代参考
- 最大输入电压(VI)
- 30V
- 工作温度
- -20℃~+85℃
- 集电极漏电流(Icex)
- 20uA
- 输入电流(on)
- 0.93mA
描述七路高耐压大电流达林顿驱动电路 50V 500mA
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- 2280
2500个/圆盘
个
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替代参考
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极漏电流(Icex)
- 500uA
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 1.1V@250mA,100mA
- 输入电流(on)
- 0.5mA
描述CBM2004A 是单片高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个阵列由七个 NPN 达林顿对组成，其特点是具有带共阴极钳位二极管的高压输出，用于切换感性负载。单个达林顿对的集电极电流额定值为 500 mA
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