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MDD(辰达半导体)
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开关二极管
1N4148W-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOD-123
类目
开关二极管
编号
C41371420
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
150mA
耗散功率(Pd)
400mW
反向电流(Ir)
50uA

描述电压:100V 电流:150mA 正向压降:1.25V@150mA 封装:SOD-123

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3000/圆盘

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近期成交100单+

1N4148W-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOD-123
备注
流动库存,请提前询库存
批次
24+25+
立推售价
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库存
9KK

3000/圆盘

总额0

S8050
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364312
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。

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1KK+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

SS8050
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C431710
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。

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3000/圆盘

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近期成交100单+

SM712
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C502564
反向截止电压(Vrwm)
12V
钳位电压
26V
峰值脉冲电流(Ipp)
17A
峰值脉冲功率(Ppp)
400W

描述个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子

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(100-200) NPN 电流:0.6A 电压:160V
MMBT5551
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C408396
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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3000/圆盘

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近期成交100单+

开关二极管
1N4148WS-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOD-323
类目
开关二极管
编号
C41371421
正向压降(Vf)
1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
150mA
耗散功率(Pd)
400mW

描述电压:100V 电流:150mA 正向压降:1.25V@150mA 封装:SOD-323

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1KK+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1N4148WS-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOD-323
备注
流动库存,请提前询库存
批次
24+25+
立推售价
  • 0.021
库存
8KK

3000/圆盘

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hFE:100-300 NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41371422
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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682K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT3904-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
备注
流动库存,请提前询库存
批次
24+25+
立推售价
  • 0.021
库存
8KK

3000/圆盘

总额0

PNP 电流:0.5A 电压:25V
S8550
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364313
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存875K+
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875K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:0.6A 电压:160V
MMBT5551-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41371418
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存385K+
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385K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:0.5A 电压:25V
S9013
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C431712
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存559K+
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559K+

3000/圆盘

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近期成交100单+

H档200-350 PNP 电流:1.5A 电压:25V
SS8550
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364314
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存77K+
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  • 0.0799
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77K+

3000/圆盘

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近期成交100单+

PNP 电流:0.6A 电压:150V
MMBT5401
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23-3
类目
三极管(BJT)
编号
C408397
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存248K+
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  • 0.0804
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246K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

PNP 电流:200mA 电压:40V
MMBT3906
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364311
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存158K+
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  • 0.0391
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157K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:100mA 电压:45V
S9014
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364316
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述L档

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存75K+
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  • 0.0672
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75K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:200mA
BSS123
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C427379
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
3Ω@10V

描述应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存219K+
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  • 0.1003
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广东仓
218K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:50V 电流:340mA
BSS138
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C427380
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
340mA
导通电阻(RDS(on))
1.1Ω@10V;2Ω@4.5V

描述应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存86K+
私有库下单最高享92折
  • 收藏
  • 对比
  • 0.1032
  • 0.0838
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  • 0.0597
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广东仓
86K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

hFE:100-300 NPN 电流:200mA 电压:40V
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存166K+
私有库下单最高享92折
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  • 0.0468
  • 0.036
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广东仓
164K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:0.5A 电压:25V
S9013-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41371419
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存347K+
私有库下单最高享92折
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  • 0.0515
  • 0.0418
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广东仓
347K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

SMA封装通用二极管
M7-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SMA
类目
通用二极管
编号
C45406500
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
1.15V@1A
直流反向耐压(Vr)
1kV
整流电流
1A

描述SMA封装通用二极管

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存190K+
私有库下单最高享92折
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  • 0.0515
  • 0.0401
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广东仓
189K+

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

电压:40V 电流:3A
SS34-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SMA
类目
肖特基二极管
编号
C45406501
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
600mV@3A
直流反向耐压(Vr)
40V
整流电流
3A

描述SMA封装肖特基二极管

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存121K+
私有库下单最高享92折
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  • 0.1763
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广东仓
121K+

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:600mA 电压:40V
MMBT4401
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23-3
类目
三极管(BJT)
编号
C408394
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存76K+
私有库下单最高享92折
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  • 0.0726
  • 0.0636
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  • 0.0512
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  • 0.0472
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广东仓
76K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

双向ESD 15V截止 峰值脉冲电流:10A
SD15C
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOD-323
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C502535
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
15V
钳位电压
38V
峰值脉冲电流(Ipp)
10A

描述SDxxC系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备及其他应用场景。这些器件非常适合印刷电路板空间有限的情况

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存39K+
私有库下单最高享92折
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近期成交88单

电压:40V 电流:1A
SS14-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SMA
类目
肖特基二极管
编号
C45406502
二极管配置
1个独立式
正向压降(Vf)
600mV@1A
直流反向耐压(Vr)
40V
整流电流
1A

描述SMA封装肖特基二极管

RoHS

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近期成交39单

SS14-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SMA
备注
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批次
24+25+
立推售价
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库存
500K

5000/圆盘

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双向ESD 12V截止 峰值浪涌电流:11A
SD12C
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOD-323
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C502534
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
12V
钳位电压
32V
峰值脉冲电流(Ipp)
11A

描述消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制

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3000/圆盘

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近期成交65单

双向ESD 24V截止 峰值脉冲电流:7A
SD24C
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOD-323
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C502536
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
24V
钳位电压
52V
峰值脉冲电流(Ipp)
7A

描述个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子

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近期成交68单

双向TVS 36V截止 峰值脉冲电流:25.9A
SMCJ36CA
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
DO-214AB(SMC)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C408378
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
36V
钳位电压
58.1V
峰值脉冲电流(Ipp)
25.9A

描述特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

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近期成交80单

双向TVS 30V截止 峰值脉冲电流:31A
SMCJ30CA
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
DO-214AB(SMC)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C408375
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
30V
钳位电压
48.4V
峰值脉冲电流(Ipp)
31A

描述特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低轮廓封装。 内置应力消除。 玻璃钝化结。 低电感。 出色的钳位能力。应用:I/O接口。 AC/DC电源

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近期成交60单

5V截止 峰值脉冲电流:17A
SM05
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C502559
反向截止电压(Vrwm)
5V
钳位电压
18V
峰值脉冲电流(Ipp)
17A
峰值脉冲功率(Ppp)
350W

描述SMxx系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电(ESD)敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况

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近期成交89单

电压:100V 电流:10A
MBRD10100
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
TO-252
类目
肖特基二极管
编号
C46533753
二极管配置
1对共阴极
正向压降(Vf)
850mV@5A
直流反向耐压(Vr)
100V
整流电流
10A

描述TO-252塑料封装肖特基二极管

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近期成交31单

60V N通道增强模式MOSFET
2N7002KT
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-523
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C45406498
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
340mA
导通电阻(RDS(on))
3.2Ω@4.5V

描述60V N通道增强模式MOSFET

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