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- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- onsemi(安森美)
- LGE(鲁光)
- JSMSEMI(杰盛微)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- ChipNobo(无边界)
- Infineon(英飞凌)
多选 - 封装
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自营结果数7
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP型MMBT2907A。 超小表面贴装封装。应用:用作中功率放大器。 需要集电极电流高达500mA的开关
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- 对比
- ¥0.131
- ¥0.1066
- ¥0.0823
- ¥0.0742
- ¥0.0672
- ¥0.0634
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- 11K+
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- 对比
- ¥1.2161
- ¥0.9615
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- 现货
- 2600
3000个/圆盘
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近期成交2单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1102
- ¥0.084
- ¥0.0726
- ¥0.0639
- ¥0.0604
- ¥0.058
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- 现货
- 195K+
3000个/圆盘
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总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
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- ¥0.3765
- ¥0.2886
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- ¥0.1632
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- 现货
- 6880
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近期成交42单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23
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9.5折
- ¥0.08037
- ¥0.06251
- ¥0.054435
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- ¥0.04332
- ¥0.04047
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- 13K+
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近期成交1单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述特性:外延平面管芯结构。 提供互补PNP类型。 超小型表面贴装封装。 MSL 1。应用:用作中功率放大器。 需要集电极电流高达500mA的开关
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- ¥0.0841
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- 1250
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近期成交12单
- 集电极电流(Ic)
- 600mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
- 直流电流增益(hFE)
- 300
描述这款NPN型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)能力,最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V,适用于对耐压有一定要求的应用环境。其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间,确保了良好的信号放大性能。特征频率(FT)高达300MHz,使其在高频应用中表现出色,保证了高效稳定的运行。该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景,能够有效提升电路的整体性能,满足复杂电路设计的需求。
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9.3折
- ¥0.219387
- ¥0.174747
- ¥0.152427
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3000个/圆盘
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近期成交4单








