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NPN 电流:600mA 电压:40V
MMBT2222ALT1
品牌
LGE(鲁光)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C402270
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP型MMBT2907A。 超小表面贴装封装。应用:用作中功率放大器。 需要集电极电流高达500mA的开关

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MMBT 2222A LT1
MMBT 2222A LT1
品牌
Infineon(英飞凌)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C538538

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MMBT2222ALT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C82460
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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NPN 电流:600mA 电压:40V
SMMBT2222ALT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C604704
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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电流:600mA 电压:40V
MMBT2222ALT1G-CN
品牌
ChipNobo(无边界)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C42379417
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23

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电流:600mA 电压:40V
SMMBT2222ALT1G
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C49005790
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:外延平面管芯结构。 提供互补PNP类型。 超小型表面贴装封装。 MSL 1。应用:用作中功率放大器。 需要集电极电流高达500mA的开关

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电流:600mA 电压:40V
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW
直流电流增益(hFE)
300

描述这款NPN型三极管(BJT)具备0.6A的集电极电流(IC)能力,最大集电极-发射极电压(VCEO)为40V,适用于对耐压有一定要求的应用环境。其直流电流增益(HFE)范围在100至300之间,确保了良好的信号放大性能。特征频率(FT)高达300MHz,使其在高频应用中表现出色,保证了高效稳定的运行。该三极管非常适合于消费电子产品中的信号放大、音频处理以及无线通信模块等应用场景,能够有效提升电路的整体性能,满足复杂电路设计的需求。

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