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NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904TT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-416
类目
三极管(BJT)
编号
C242260
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT3904
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C7420353
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述hFE:100-300,丝印:1AM

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NPN晶体管,SOT-523封装,塑封,符合UL 94V-0阻燃等级,符合RoHS标准且无卤
MMBT3904T
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C52204676
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

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SMT补贴嘉立创库存149K+
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hFE:100-300 NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41371422
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

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近期成交100单+

MMBT3904-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
备注
流动库存,请提前询库存
批次
24+25+
立推售价
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库存
9KK

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hFE:100-300 NPN 电流:200mA 电压:40V
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

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3000/圆盘

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近期成交100单+

晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述丝印1A

RoHSSMT基础库

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MMBT3904LT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C81464
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
225mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT3904
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C916374
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
250mW

描述专为中等电压、微至小电流应用环境设计,是您进行精密放大与开关电路的理想半导体器件。

SMT扩展库

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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MMBT3904
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
备注
流动库存,下单前请确认!
立推售价
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1KK

3000/圆盘

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开关晶体管 NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904,215
品牌
Nexperia(安世)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C426835
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
250mW

描述采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号:MMBT3906。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存110K+
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3000/圆盘

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近期成交100单+

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C909754
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V

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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
Hottech(合科泰)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C181119
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:与MMBT3906互补的表面贴装器件

SMT扩展库

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406K

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
TWGMC(迪嘉)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C727127
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存503K+
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502K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
SHIKUES(时科)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C111113
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:与MMBT3906互补。 SOT-23封装

RoHSSMT扩展库

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9.5
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近期成交83单

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904W
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C22466880
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存52K+
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9
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51K+

3000/圆盘

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近期成交100单+

1N(1N表示丝印) NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904T
品牌
CBI(创基)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C2828443
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

描述1N(1N表示丝印)

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存122K+
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3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904 1AM
品牌
YONGYUTAI(永裕泰)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2985655
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:与MMBT3906互补。 集电极电流:Ic = 200mA

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存419K+
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9.5
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416K+

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总额0

近期成交100单+

100~300 NPN 电流:200mA 电压:40V
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

描述特性:与MMBT3906T互补。 小封装

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存18K+
私有库下单最高享92折
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  • 0.1133
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17K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904-7-F
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C94514
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
310mW

描述特性:互补PNP类型可用。 适用于中功率放大和开关。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存468K+
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466K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904T-7-F
品牌
DIODES(美台)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C239187
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

描述特性:BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小型表面贴装封装。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存274K+
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  • 0.2001
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274K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
晶导微电子
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2762221
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:与MMBT3906互补

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存96K+
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  • 0.0582
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96K+

3000/圆盘

总额0

近期成交76单

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
YONGYUTAI(永裕泰)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2891808
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型(MMBT3906)。 适用于中功率放大和开关

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存165K+
私有库下单最高享92折
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9.5
  • 0.04028
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  • 0.02356
  • 0.02166
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155K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904T-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C30587305
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
250mW

描述应用于一般切换和放大。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存181K+
私有库下单最高享92折
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9
  • 0.06984
  • 0.05382
  • 0.04581
  • 0.04041
  • 0.03582
  • 0.0333
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179K+

3000/圆盘

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近期成交68单

NPN 电流:0.2A 电压:40V
MMBT3904M
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
SOT-723
类目
三极管(BJT)
编号
C2923360
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
100mW

描述这款是NPN型BJT三极管,电流的信号放大,中等频率信号处理。广泛应用于消费电子、通信设备以及各种家用电器等领域。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存52K+
私有库下单最高享92折
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  • 0.2249
  • 0.1736
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  • 0.1281
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  • 0.0941
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52K+

8000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:0.2A 电压:40V
MMBT3904
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C5184404
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述这款NPN型三极管具有0.2A的电流和40V的电压处理能力,放大倍数介于100至300之间,适用于高速操作,频率可达300MHz。它为电子设备提供了可靠的性能,适合多种应用需求,确保电路的稳定性和高效性。

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NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904LT3G
品牌
onsemi(安森美)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C150052
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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近期成交99单

NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
BORN(伯恩半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C266588
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述作为互补类型,推荐使用 PNP 晶体管 MMBT3906,它采用外延平面管芯结构,SOT - 23 塑料封装。

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此款型号丝印有4种:1AM,1E,T1A,T04,会随机发货 NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
ST(先科)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C84104
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
350mW

描述此款型号丝印有4种:1AM,1E,T1A,T04,会随机发货

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NPN 电流:0.2A 电压:40V
MMBT3904M 1N
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-723
类目
三极管(BJT)
编号
C70409
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
100mW

描述特性:与MMBT3906M互补。 小封装

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NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904T
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C28310448
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

描述耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@50mA,1V

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电流:200mA 电压:40V
MMBT3904
品牌
FOSAN(富捷/富信)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2926158
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述放大倍数100-300 200MA电流

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