- 类目
- 三极管(BJT)
- 稳压二极管
多选 - 品牌
- onsemi(安森美)
- PANJIT(强茂)
- YONGYUTAI(永裕泰)
- DIODES(美台)
- CJ(江苏长电/长晶)
- MSKSEMI(美森科)
- ChipNobo(无边界)
- SHIKUES(时科)
- LGE(鲁光)
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- GOODWORK(固得沃克)
- TWGMC(迪嘉)
- FOSAN(富捷/富信)
- AM(安美)
- ST(先科)
- Siliup(矽普)
- TDSEMIC(拓电半导体)
- Nexperia(安世)
- BORN(伯恩半导体)
- YANGJIE(扬杰)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-523(SC-75)
- SOT-323(SC-70)
- SOT-723
- DFN1006-3(SOT-883)
- TO-92
- SOT-363
- DFN-3(0.6x0.6)
- DFN-3(0.6x0.8)
- SOT-23
- SOT-923F
- TO-92-2.54mm
- -
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1629
- ¥0.126
- ¥0.1054
- ¥0.0931
- ¥0.0824
- ¥0.0767
- 现货
- 90K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述hFE:100-300,丝印:1AM
- 收藏
- 对比
- ¥0.0567
- ¥0.0471
- ¥0.0333
- ¥0.0301
- ¥0.0289
- ¥0.028
- 现货
- 2KK+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 收藏
- 对比
- ¥0.1452
- ¥0.1139
- ¥0.0965
- ¥0.0861
- ¥0.077
- ¥0.0721
- 现货
- 148K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.0449
- ¥0.0369
- ¥0.0325
- ¥0.0276
- ¥0.0253
- ¥0.024
- 现货
- 885K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.0468
- ¥0.036
- ¥0.0308
- ¥0.0272
- ¥0.0241
- ¥0.0224
- 现货
- 83K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述丝印1A
- 收藏
- 对比
- ¥0.0629
- ¥0.0492
- ¥0.0432
- ¥0.0386
- ¥0.0368
- ¥0.0356
- 现货
- 1KK+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.0964
- ¥0.0768
- ¥0.0546
- ¥0.0481
- ¥0.0455
- ¥0.0437
- 现货
- 3050
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述专为中等电压、微至小电流应用环境设计,是您进行精密放大与开关电路的理想半导体器件。
- 收藏
- 对比
- ¥0.03915
- ¥0.03033
- ¥0.02529
- ¥0.02232
- ¥0.02115
- ¥0.02034
- 现货
- 1KK+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号:MMBT3906。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1931
- ¥0.1504
- ¥0.1266
- ¥0.11
- ¥0.0977
- ¥0.091
- 现货
- 105K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V
- 收藏
- 对比
- ¥0.0433
- ¥0.0346
- ¥0.025
- ¥0.0221
- ¥0.0196
- ¥0.0183
- 现货
- 791K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:与MMBT3906互补的表面贴装器件
- 收藏
- 对比
- ¥0.058805
- ¥0.047215
- ¥0.036385
- ¥0.03249
- ¥0.029165
- ¥0.02736
- 现货
- 406K
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关
- 收藏
- 对比
- ¥0.0463
- ¥0.0374
- ¥0.0293
- ¥0.0263
- ¥0.0237
- ¥0.0223
- 现货
- 502K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:与MMBT3906互补。 SOT-23封装
- 收藏
- 对比
- ¥0.05472
- ¥0.04389
- ¥0.03458
- ¥0.03097
- ¥0.027835
- ¥0.026125
- 现货
- 312K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交83单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V
- 收藏
- 对比
- ¥0.07866
- ¥0.06165
- ¥0.0522
- ¥0.04653
- ¥0.04158
- ¥0.03897
- 现货
- 51K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述1N(1N表示丝印)
- 收藏
- 对比
- ¥0.121
- ¥0.0965
- ¥0.0677
- ¥0.0595
- ¥0.0524
- ¥0.0486
- 现货
- 120K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:与MMBT3906互补。 集电极电流:Ic = 200mA
- 收藏
- 对比
- ¥0.038095
- ¥0.03154
- ¥0.027835
- ¥0.022705
- ¥0.020805
- ¥0.01976
- 现货
- 416K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述特性:与MMBT3906T互补。 小封装
- 收藏
- 对比
- ¥0.1133
- ¥0.0916
- ¥0.0796
- ¥0.0724
- 现货
- 17K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 310mW
描述特性:互补PNP类型可用。 适用于中功率放大和开关。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
- 收藏
- 对比
- ¥0.22
- ¥0.1736
- ¥0.1478
- ¥0.1323
- ¥0.1189
- ¥0.1117
- 现货
- 466K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述特性:BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小型表面贴装封装。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
- 收藏
- 对比
- ¥0.2001
- ¥0.1582
- ¥0.1349
- ¥0.1173
- ¥0.1052
- ¥0.0987
- 现货
- 274K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:与MMBT3906互补
- 收藏
- 对比
- ¥0.0582
- ¥0.0458
- ¥0.0389
- ¥0.0348
- ¥0.0312
- ¥0.0293
- 现货
- 96K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交76单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型(MMBT3906)。 适用于中功率放大和开关
- 收藏
- 对比
- ¥0.04028
- ¥0.033725
- ¥0.025745
- ¥0.02356
- ¥0.02166
- ¥0.020615
- 现货
- 155K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 250mW
描述应用于一般切换和放大。
- 收藏
- 对比
- ¥0.06984
- ¥0.05382
- ¥0.04581
- ¥0.04041
- ¥0.03582
- ¥0.0333
- 现货
- 179K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交68单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
描述这款是NPN型BJT三极管,电流的信号放大,中等频率信号处理。广泛应用于消费电子、通信设备以及各种家用电器等领域。
- 收藏
- 对比
- ¥0.2249
- ¥0.1736
- ¥0.1452
- ¥0.1281
- ¥0.1021
- ¥0.0941
- 现货
- 52K+
8000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述这款NPN型三极管具有0.2A的电流和40V的电压处理能力,放大倍数介于100至300之间,适用于高速操作,频率可达300MHz。它为电子设备提供了可靠的性能,适合多种应用需求,确保电路的稳定性和高效性。
- 收藏
- 对比
- ¥0.0509
- ¥0.046
- ¥0.0332
- ¥0.0316
- ¥0.0302
- ¥0.0294
- 现货
- 191K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交58单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
- 收藏
- 对比
- ¥0.188
- ¥0.1541
- ¥0.1353
- ¥0.124
- ¥0.0868
- ¥0.0815
- 现货
- 40K+
10000个/圆盘
总额¥0
近期成交99单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述作为互补类型,推荐使用 PNP 晶体管 MMBT3906,它采用外延平面管芯结构,SOT - 23 塑料封装。
- 收藏
- 对比
- ¥0.0685
- ¥0.055
- ¥0.0443
- ¥0.0398
- ¥0.0359
- ¥0.0338
- 现货
- 55K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
描述此款型号丝印有4种:1AM,1E,T1A,T04,会随机发货
- 收藏
- 对比
- ¥0.0587
- ¥0.0465
- ¥0.0375
- ¥0.0335
- ¥0.0299
- ¥0.0281
- 现货
- 54K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 100mW
描述特性:与MMBT3906M互补。 小封装
- 收藏
- 对比
- ¥0.1618
- ¥0.1305
- ¥0.1131
- ¥0.1027
- ¥0.0936
- ¥0.0887
- 现货
- 29K+
8000个/圆盘
总额¥0
近期成交88单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
描述耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@50mA,1V
- 收藏
- 对比
- ¥0.075395
- ¥0.05933
- ¥0.050405
- ¥0.04505
- ¥0.040375
- ¥0.03791
- 现货
- 37K
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
描述放大倍数100-300 200MA电流
- 收藏
- 对比
- ¥0.0389
- ¥0.0297
- ¥0.0266
- ¥0.0236
- ¥0.0209
- ¥0.0195
- 现货
- 87K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交55单































