MMBTA42_MMBTA42采购信息-立创电子元器件商城-第3页

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类目
- 三极管(BJT)
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- onsemi(安森美)
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- JUXING(钜兴)
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- SHIKUES(时科)
- Hottech(合科泰)
- YANGJIE(扬杰)
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- JSMSEMI(杰盛微)
- FUXINSEMI(富芯森美)
- MSKSEMI(美森科)
- CBI(创基)
- FOSAN(富捷/富信)
- XCH(旭昌辉)
- DIODES(美台)
- MCC(美微科)
- Nexperia(安世)
- BORN(伯恩半导体)
- HT(金誉)
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MMBTA42LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C94389

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 225mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+￥0.2334
200+￥0.1816
600+￥0.1529
3000+￥0.1269
9000+￥0.1119
21000+￥0.1039

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现货: 122K+

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MMBTA42

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069138

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述hFE:100-200，丝印:1D

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20+￥0.1677
200+￥0.1326
600+￥0.1131
3000+￥0.0941
9000+￥0.0839
21000+￥0.0785

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现货: 62K+

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近期成交100单+

MMBTA42

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C916394

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 200V

耗散功率(Pd): 350mW

描述专为高压、低至中等电流应用设计，是进行开关电路及精密放大器设计的理想半导体组件

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8折

50+￥0.07512
500+￥0.05872
3000+￥0.05232
6000+￥0.04688
24000+￥0.04208
45000+￥0.03952

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现货: 216K+

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近期成交90单

MMBTA42(RANGE:100-200)

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C8515

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。与MMBTA92（PNP）互补

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20+￥0.1871
200+￥0.1503
600+￥0.1299
3000+￥0.1149
9000+￥0.1043
21000+￥0.0985

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现货: 48K+

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近期成交100单+

MMBTA42-6AF

品牌: FOSAN(富捷/富信)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C48587177

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic): 300mA,集射极击穿电压 300V,耗散功率(Pd): 350mW

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20+￥0.1931
200+￥0.149
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3000+￥0.1097
9000+￥0.0969
21000+￥0.09

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现货: 29K+

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近期成交2单

MMBTA42-7-F

品牌: DIODES(美台)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C429857

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：外延平面芯片结构。提供互补PNP类型。适用于中功率放大和开关。也有无铅版本

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10+￥0.3761
100+￥0.3089
300+￥0.2753
3000+￥0.2417
6000+￥0.2215
9000+￥0.2114

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现货: 9000

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近期成交26单

MMBTA42

品牌: Hottech(合科泰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C181172

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：与MMBTA92互补。高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。表面贴装器件

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9.5折

1+￥0.17309
10+￥0.13509
30+￥0.114
100+￥0.101365
500+￥0.090345
1000+￥0.084455

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现货: 4195

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近期成交47单

MMBTA42,215

品牌: Nexperia(安世)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5126677

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 250mW

描述采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN高压晶体管。PNP互补型号：MMBTA92。

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SMT补贴嘉立创库存3062

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5+￥1.0051
50+￥0.8707
150+￥0.8035
500+￥0.7531
3000+￥0.696
6000+￥0.6758

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现货: 3060

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近期成交1单

SOT-23塑封封装NPN半导体三极管 NPN 电流:500mA 电压:300V

MMBTA42

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C305464

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。

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SMT补贴嘉立创库存10K+

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20+￥0.2396
200+￥0.1839
600+￥0.1529
3000+￥0.1343
9000+￥0.1182

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现货: 10K+

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近期成交7单

MMBTA42 1D

品牌: TDSEMIC(拓电半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C46956354

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该SOT-23封装NPN型三极管，具备80V高耐压VCEO及0.5A集电极电流规格，其放大倍数可在100至400之间调节，适用于高压、中等电流环境下的精密放大与开关应用，是电子设备电路设计的理想半导体元件。

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SMT补贴嘉立创库存6395

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对比

50+￥0.1264
500+￥0.0997
3000+￥0.0849
6000+￥0.076

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现货: 6350

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近期成交6单

MMBTA42

品牌: BORN(伯恩半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C42432390

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

RoHS

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20+￥0.1588
200+￥0.1237
600+￥0.1042
3000+￥0.0925

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现货: 5660

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近期成交2单

S-MMBTA42LT1G

品牌: JSMSEMI(杰盛微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C42374827

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述高稳定性和可靠性。

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对比

9折

50+￥0.10359
500+￥0.08172
3000+￥0.07083
6000+￥0.06354
24000+￥0.05715
51000+￥0.05373

现货最快4小时发货

现货: 2250

3000个/圆盘

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近期成交5单

MMBTA42

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C909760

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述耐压:300V 电流:300mA NPN (hFE):200@10mA,10V

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1322

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对比

9折

20+￥0.14805
200+￥0.11889
600+￥0.10269
3000+￥0.0774
9000+￥0.06894
30000+￥0.06444

现货最快4小时发货

现货: 1320

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交8单

立推

MMBTA42

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-23

备注: 流动库存，请提前询库存

批次: 25+

立推售价

21000+￥0.0562

支付后4-6工作日

库存: 420K

3000个/圆盘

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MMBTA42

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2914416

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。与MMBTA92（PNP）互补

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对比

9折

20+￥0.12096
200+￥0.09423
600+￥0.07938
3000+￥0.07047
9000+￥0.06273
21000+￥0.05859

现货最快4小时发货

现货: 3220

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交1单

MMBTA42

品牌: FOSAN(富捷/富信)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2926182

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 300mW

描述放大倍数100-200 300V电压

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存700

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对比

20+￥0.1318
200+￥0.1037
600+￥0.0881
3000+￥0.0787
9000+￥0.0706
21000+￥0.0662

现货最快4小时发货

现货: 640

3000个/圆盘

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近期成交11单

立推

MMBTA42

品牌: FOSAN(富捷/富信)

封装: SOT-23

备注: 流动库存，请提前询库存

立推售价

30000+￥0.054

支付后6-8工作日

库存: 3KK

3000个/圆盘

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MMBTA42

品牌: UMW(友台半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C545550

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。与MMBTA92（PNP）互补

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SMT补贴嘉立创库存265

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对比

20+￥0.1609
200+￥0.1269
600+￥0.1081
3000+￥0.0968
9000+￥0.087
21000+￥0.0817

现货最快4小时发货

现货: 180

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交7单

MMBTA42-MS

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5120738

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。与MMBTA92-MS（PNP）互补

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5205

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对比

9折

20+￥0.15777
200+￥0.12375
600+￥0.10485
3000+￥0.08973
9000+￥0.07983
21000+￥0.07461

现货最快4小时发货

现货: 5200

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交4单

MMBTA42

品牌: LGE(鲁光)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C713680

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型（MMBTA92）。适用于中功率放大和开关。应用：NPN高压放大器

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1879

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对比

20+￥0.1968
200+￥0.1557
600+￥0.1329
3000+￥0.1083
9000+￥0.0964
21000+￥0.09

现货最快4小时发货

现货: 1860

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交3单

MMBTA42 1D

品牌: JUXING(钜兴)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5365526

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：与MMBTA92配对。最大功率耗散350mW。高稳定性和可靠性

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2797

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对比

9.5折

20+￥0.13566
200+￥0.10526
600+￥0.08835
3000+￥0.07942
9000+￥0.070585
21000+￥0.06593

现货最快4小时发货

现货: 2480

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总额￥0

近期成交5单

MMBTA42

品牌: Slkor(萨科微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C609809

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。与MMBTA92（PNP）互补

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2789

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对比

20+￥0.1438
200+￥0.1129
600+￥0.0958
3000+￥0.0814
9000+￥0.0724
21000+￥0.0676

现货最快4小时发货

现货: 2780

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总额￥0

近期成交4单

MMBTA42

品牌: Wild Goose(威谷)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C22368851

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述MMBTA42是一款适用于线性和开关应用贴片三极管

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存45

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对比

8.5折

50+￥0.0935
500+￥0.072845
3000+￥0.06137
6000+￥0.054485
24000+￥0.048535
51000+￥0.045305

需订货

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交1单

MMBTA42

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2858524

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8

私有库下单最高享92折

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对比

6折

10+￥0.09528
100+￥0.07422
300+￥0.06252
3000+￥0.0555
6000+￥0.04944
9000+￥0.04614

需订货

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交1单

MMBTA42

品牌: YONGYUTAI(永裕泰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2891816

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：与MMBTA92互补。集电极电流：Ic = 0.5A。高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2070

私有库下单最高享92折

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对比

8.8折

20+￥0.137104
200+￥0.107712
600+￥0.091344
3000+￥0.077704
9000+￥0.069168
21000+￥0.064592

现货最快4小时发货

现货: 2060

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

SMMBTA42LT1G

品牌: onsemi(安森美)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C462960

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 225mW

描述此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2379

私有库下单最高享92折

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对比

5+￥0.6536
50+￥0.5248
150+￥0.4604
500+￥0.4121

现货最快4小时发货

现货: 2235

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交22单

MMBTA42SI

品牌: YFW(佑风微)

封装: SOT-89

类目: 三极管(BJT)

编号: C45662268

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述高击穿电压、低集电极-发射极饱和电压、与MPSA92SI（PNP）互补

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MMBTA42

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5189107

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述这款NPN三极管具有0.3A的电流和300V的电压承受能力，放大倍数介于100-200之间，适用于高速切换和信号放大场景。其50MHz的频率响应确保了良好的信号处理能力。该元器件为设计提供了可靠且高效的选择。

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MMBTA42

品牌: JUXING(钜兴)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5279928

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：与MMBTA92配对。最大功率耗散350mW。高稳定性和可靠性

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MMBTA42

品牌: SHIKUES(时科)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2999129

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。与MMBTA92（PNP）互补。 SOT-23封装

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MMBTA42

品牌: High Diode(海德)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C466651

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 300mA

集射极击穿电压(Vceo): 300V

耗散功率(Pd): 350mW

描述特性：高击穿电压。低集电极-发射极饱和电压。与MMBTA92（PNP）互补

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MMBTA42

品牌: DDF(鼎德丰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C50229541

描述晶体管类型：NPN。集电极电流ICM:500MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:300V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:300V 直流电流增益HFE:100-200

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