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- 数量
- 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 50V
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 耗散功率(Pd)
- 385mW
描述BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将它们集成到单个器件中来消除这些单独的组件。在SOT-363封装中容纳了两个互补的BRT器件，这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用是理想的。简化电路设计，减少电路板空间，减少组件数量。产品材料符合RoHS要求。
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