收起筛选
- 类目
- 三极管(BJT)
- 品牌
- ST(先科)
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- BLUE ROCKET(蓝箭)
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- PJSEMI(平晶微)
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多选 - 封装
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综合排序
价格
库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数10
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 300mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 625mW
描述TO-92 塑封封装 PNP 半导体三极管。
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- ¥0.2727
- ¥0.2367
- ¥0.2187
- ¥0.2052
- ¥0.1944
- ¥0.189
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- 现货
- 25K+
3000个/盒
个
总额¥0
近期成交9单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 300mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 625mW
描述特性:高击穿电压。 宽安全工作区 (SOA)。 互补型:MPSA44
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- 对比
- ¥0.2759
- ¥0.2183
- ¥0.1895
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- 1360
2000个/盒
个
总额¥0
近期成交2单
描述晶体管类型:PNP。 集电极电流ICM:-300MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:-500V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:-400V 直流电流增益HFE:100-200
- 收藏
- 对比
9.2折
- ¥0.25024
- ¥0.197248
- ¥0.170752
- ¥0.15088
- ¥0.134964
- ¥0.12696
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- 现货
- 980
1000个/袋
个
总额¥0
近期成交2单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 300mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 625mW
描述高压三极管,PNP 400V/300mA,配对型号: MPSA44
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- 对比
- ¥0.2538
- ¥0.1995
- ¥0.1724
- ¥0.1572
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- 现货
- 2340
1000个/袋
个
总额¥0
近期成交2单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 300mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 625mW
描述PNP,高压三极管,VCEO:-400V,IC:-0.3A,PD:0.625W,VCE(SAT):0.5V(MAX.)
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- 对比
- ¥0.4812
- ¥0.3804
- ¥0.33
- ¥0.2922
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- 现货
- 1085
1000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交2单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 300mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 625mW
描述适用于高压开关和放大器应用
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- 对比
- ¥0.3453
- ¥0.2729
- ¥0.2368
- ¥0.2097
- ¥0.188
- ¥0.1771
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- 现货
- 580
1000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交10单
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 300mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 625mW
描述特性:集电极-发射极电压:VCEO =-400V。 低集电极-发射极饱和电压
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- 对比
- ¥0.5611
- ¥0.4539
- ¥0.4003
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- 现货
- 80
2000个/盒
个
总额¥0
近期成交1单
- 集电极电流(Ic)
- 300mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
- 直流电流增益(hFE)
- 70
描述特性:集电极-发射极电压:VCEO =-400V。 低集电极-发射极饱和电压
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- 对比
- ¥1.1742
- ¥0.9373
- ¥0.8358
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- 现货
- 19
4000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交2单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 300mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 625mW
描述NPN 硅外延平面晶体管,适用于高压开关和放大器应用。推荐使用 PNP 晶体管 MPSA94 作为互补类型。根据特殊要求,这些晶体管可采用不同的引脚配置进行制造
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- 对比
- ¥0.3612
- ¥0.294
- ¥0.2603
- ¥0.233
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- 现货
- 2430
1000个/袋
个
总额¥0
近期成交8单











