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PNP 电流:300mA 电压:400V
MPSA94
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
TO-92
类目
三极管(BJT)
编号
C305413
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
625mW

描述TO-92 塑封封装 PNP 半导体三极管。

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3000/

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近期成交9单

PNP 电流:300mA 电压:400V
MPSA94
品牌
LGE(鲁光)
封装
TO-92
类目
三极管(BJT)
编号
C22388875
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
625mW

描述特性:高击穿电压。 宽安全工作区 (SOA)。 互补型:MPSA44

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近期成交2单

MPSA94
MPSA94
品牌
DDF(鼎德丰)
封装
TO-92
类目
三极管(BJT)
编号
C50229534

描述晶体管类型:PNP。 集电极电流ICM:-300MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:-500V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:-400V 直流电流增益HFE:100-200

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近期成交2单

PNP 电流:300mA 电压:400V
MPSA94
品牌
ST(先科)
封装
TO-92
类目
三极管(BJT)
编号
C157664
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
625mW

描述高压三极管,PNP 400V/300mA,配对型号: MPSA44

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近期成交2单

PNP 电流:200mA 电压:400V
MPSA94SI
品牌
YFW(佑风微)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C45662263
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
500mW

描述高击穿电压、低集电极-发射极饱和电压

RoHS

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近期成交1单

PNP 电流:300mA 电压:400V
MPSA94SQ
品牌
PJSEMI(平晶微)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C42405705
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
625mW

描述PNP,高压三极管,VCEO:-400V,IC:-0.3A,PD:0.625W,VCE(SAT):0.5V(MAX.)

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近期成交2单

MPSA94U A94
MPSA94U
品牌
CBI(创基)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C5362128
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
625mW

描述适用于高压开关和放大器应用

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SMT补贴嘉立创库存584
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近期成交10单

PNP硅晶体管 高压晶体管
MPSA94G-T92-B
品牌
UTC(友顺)
封装
TO-92
类目
三极管(BJT)
编号
C7464708
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
625mW

描述特性:集电极-发射极电压:VCEO =-400V。 低集电极-发射极饱和电压

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近期成交1单

MPSA94G-AB3-R
MPSA94G-AB3-R SOT-89 T/R
品牌
UTC(友顺)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C5124160
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
500mW
直流电流增益(hFE)
70

描述特性:集电极-发射极电压:VCEO =-400V。 低集电极-发射极饱和电压

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25
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近期成交2单

NPN 电流:300mA 电压:400V
MPSA44
品牌
ST(先科)
封装
TO-92
类目
三极管(BJT)
编号
C157665
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
300mA
集射极击穿电压(Vceo)
400V
耗散功率(Pd)
625mW

描述NPN 硅外延平面晶体管,适用于高压开关和放大器应用。推荐使用 PNP 晶体管 MPSA94 作为互补类型。根据特殊要求,这些晶体管可采用不同的引脚配置进行制造

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2437
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1000/

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近期成交8单