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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 120mΩ@2.5V
描述特性：VDS = 30V，ID = 2A。 RDS(ON) < 90mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = 2.5V。应用：负载开关。 PWM应用
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 38mΩ@10V
描述NDS355N 是一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，以紧凑体积实现高性能输出。它支持30V的最大漏源电压(VDSS)，并在满负荷下可持续提供4A的漏极电流(ID)，展现了强大的电流处理能力。此外，29mΩ的超低导通电阻(RD(on))确保了优异的能源效率，减少了不必要的能量损耗。此款MOS管适用于电源转换、电机驱动、负载开关等多元领域，是高集成度、高效能电子设计的理想选择。
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
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- 1.6A
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- 125mΩ@4.5V
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- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 31mΩ@10V
描述特性：VDS = 30V, ID = 5.8A，RDS(ON) < 31mΩ @ VGS = 10V，RDS(ON) < 43mΩ @ VGS = 4.5V。高功率和电流处理能力。获取无铅产品。表面贴装封装。应用：负载开关。PWM应用
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