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操作
- 开关电路
- 2:1
- 工作电压
- 1.65V~4.3V
- 导通时间(ton)
- 30ns
- 导通电阻(Ron)
- 3Ω
描述NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关,设计用于低功耗音频和双SIM卡应用。其低导通电阻为3.0Ω(典型值),适用于中高阻抗负载。此外,低电容20 pF(典型值)使其带宽达到280 MHz。
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替代参考
- 通道数
- 4
- 工作电压
- 1.5V~5.5V
- 导通时间(ton)
- 200ns
- 导通电阻(Ron)
- 1.5Ω
描述一款高性能的四路单刀双掷(SPDT)模拟开关,在 3.0V VCC 电压下具有 0.5 Ω(典型值)的超低导通电阻(Ron)。该开关的 VCC 工作电压范围宽,为 2.3V 至 4.5V,设计用于先断后通操作。选择输入与 TTL 电平兼容
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替代参考
- 工作电压
- 1.5V~5.5V
- 导通时间(ton)
- 200ns
- 导通电阻(Ron)
- 1.8Ω@3.0V
- 关闭时间(toff)
- 200ns
描述是一款高性能、四路单刀双掷 (SPDT) 模拟开关,在 3.0V VCC 时具有 0.5Ω(典型值)的超低导通电阻。可在 2.3V 至 4.5V 的宽 VCC 范围内工作,设计用于先断后通操作。选择输入与 TTL 电平兼容。还配备智能电路,即使控制电压低于 VCC 电源电压,也能最大限度地减少 VCC 泄漏电流。此特性适用于移动手机应用,允许与基带处理器通用 IO 直接接口,同时将电池消耗降至最低。无需额外设备即可在实际应用中将控制电平转换为与 VCC 相同的电平。采用 QFN 3x3-16L 封装。标准产品无铅且无卤。
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