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NLAS3899B 双DPDT低导通电阻开关
NLAS3899BMNTBG
品牌
onsemi(安森美)
封装
UQFN-16(1.8x2.6)
类目
模拟开关/多路复用器
编号
C153734
开关电路
2:1
工作电压
1.65V~4.3V
导通时间(ton)
30ns
导通电阻(Ron)

描述NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关,设计用于低功耗音频和双SIM卡应用。其低导通电阻为3.0Ω(典型值),适用于中高阻抗负载。此外,低电容20 pF(典型值)使其带宽达到280 MHz。

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SMT补贴嘉立创库存2
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替代参考
低导通电阻,四路单刀双掷模拟开关
TPG4899YD
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
QFN-16L(1.8x2.6)
类目
模拟开关/多路复用器
编号
C46472313
通道数
4
工作电压
1.5V~5.5V
导通时间(ton)
200ns
导通电阻(Ron)
1.5Ω

描述一款高性能的四路单刀双掷(SPDT)模拟开关,在 3.0V VCC 电压下具有 0.5 Ω(典型值)的超低导通电阻(Ron)。该开关的 VCC 工作电压范围宽,为 2.3V 至 4.5V,设计用于先断后通操作。选择输入与 TTL 电平兼容

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SMT补贴嘉立创库存2914
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替代参考
TPNLAS3899BMNTWG
TPNLAS3899BMNTWG
品牌
TECH PUBLIC(台舟)
封装
QFN-16L(3x3)
类目
模拟开关/多路复用器
编号
C51886200
工作电压
1.5V~5.5V
导通时间(ton)
200ns
导通电阻(Ron)
1.8Ω@3.0V
关闭时间(toff)
200ns

描述是一款高性能、四路单刀双掷 (SPDT) 模拟开关,在 3.0V VCC 时具有 0.5Ω(典型值)的超低导通电阻。可在 2.3V 至 4.5V 的宽 VCC 范围内工作,设计用于先断后通操作。选择输入与 TTL 电平兼容。还配备智能电路,即使控制电压低于 VCC 电源电压,也能最大限度地减少 VCC 泄漏电流。此特性适用于移动手机应用,允许与基带处理器通用 IO 直接接口,同时将电池消耗降至最低。无需额外设备即可在实际应用中将控制电平转换为与 VCC 相同的电平。采用 QFN 3x3-16L 封装。标准产品无铅且无卤。

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