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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 40A
- 导通电阻(RDS(on))
- 82mΩ@10V
描述SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 适用于各种电源系统，实现系统小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
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描述该N沟道MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受较高电压应力，适用于高压工作环境。在导通状态下，其典型导通电阻仅为75mΩ，有助于减少功率损耗并提升能效。器件支持43A的连续漏极电流，具备较强的大电流开关能力。常用于开关电源、逆变电路、电机控制及高效率电源转换模块中。凭借高电压耐受性、低导通电阻与大电流承载能力，适合对热性能和电气稳定性要求较高的电路设计，有助于实现紧凑且高效的功率系统布局。
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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 34A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@10V
描述TO247；N—Channel沟道,650V；34A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；
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替代参考
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 47A
- 导通电阻(RDS(on))
- 60mΩ@10V
描述TO247；N—Channel沟道,700V；47A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款高性能单极性N型功率半导体器件，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种电力控制和转换应用。
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