NTR4171PT1G

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C28646357

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4A

导通电阻(RDS(on))

51mΩ@10V

描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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NTR4171PT1G(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5340726

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

2.2A

导通电阻(RDS(on))

50mΩ@10V

描述特性：VDS(V)=-30V。 RDS(ON) < 75mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 110mΩ(VGS =-4.5V)。应用：便携式设备的电池和负载管理应用，如手机、个人数字助理、媒体播放器等

RoHSSMT扩展库

HNTR4171PT1G

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C42401379

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4.2A

导通电阻(RDS(on))

90mΩ@2.5V

描述这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于需要高效率与紧凑尺寸的应用，其最大连续漏极电流为4.2A，能够承受30V的漏源电压。具有低至45毫欧姆的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效能。栅源电压工作范围为12V，确保了良好的驱动兼容性。该器件适用于电源转换、便携式设备及消费电子产品中的开关电路，以提供可靠的性能和长久的使用寿命。

SMT扩展库

NTR4171PT1G-VB

品牌

VBsemi(微碧半导体)

封装

SOT-23(TO-236)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C558218

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

5.6A

导通电阻(RDS(on))

46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V

描述台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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RC3401

品牌

RealChip(正芯半导体)

封装

SOT-23-3

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5137089

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4.2A

导通电阻(RDS(on))

50mΩ@10V

描述特性：Vss (Ω) = 30V。 ID =-4.2A (VGS =-10V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS =-10V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS =-4.5V)。 RDS(ON) < 120mΩ (VGS =-2.5V)

RoHSSMT扩展库

AO3407A

品牌

TECH PUBLIC(台舟)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C2890112

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4.1A

导通电阻(RDS(on))

85mΩ@4.5V

描述特性：先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅产品。应用：PWM应用。 负载开关

SMT扩展库

EX3401A

品牌

Existar(毅芯达)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C48581021

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

3.6A

导通电阻(RDS(on))

60mΩ@10V

描述1个P沟道，30V，3.6A，60mΩ@-10V

SMT扩展库

HSS3401A

品牌

HUASHUO(华朔)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C518781

数量

1个P沟道

漏源电压(Vdss)

30V

连续漏极电流(Id)

4.3A

导通电阻(RDS(on))

53mΩ@4.5V

描述是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合RoHS和绿色产品要求，并通过全功能可靠性认证。

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