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2个N沟道 耐压:60V 电流:68A
NVMFD5C668NLT1G
品牌
onsemi(安森美)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C900395
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
68A
导通电阻(RDS(on))
6.5mΩ@10V

描述适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET,采用 5x6mm 扁平引线封装,具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。通过 AEC-Q101 认证 MOSFET 且符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。

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替代参考
HSBA6266
HSBA6266
品牌
HUASHUO(华朔)
封装
PRPAK-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C53244071
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
78A
导通电阻(RDS(on))
5.8mΩ@10V

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