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- 工作电压
- 10V~30V
- 晶体管耐压
- 700V
- 拓扑结构
- 反激式
描述PN8386F集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386F为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗小于50mW（230VAC）。
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