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N沟道和P沟道增强型功率MOSFET
PTS4614
品牌
HT(金誉)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C48782950
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
30mΩ@5V
耗散功率(Pd)
2W

描述特性:低导通电阻RDS(on),VGS = 5V。 5V逻辑电平控制。 N+P双通道SOP8封装。 无铅,符合RoHS标准。应用:高端负载开关。 电池开关

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PTS4614
品牌
PUOLOP(迪浦)
封装
SO-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C478987
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
8A;7A
耗散功率(Pd)
2W

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