- 类目
- 插拔式接线端子
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- 场效应管(MOSFET)
- 功率电感
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 功率继电器
- 肖特基二极管
- 专用开关
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 一次性保险丝
- 整流桥
- 随机存取存储器(RAM)
- 快恢复/高效率二极管
- 开关二极管
- 弹簧式接线端子
- 静态随机存取存储器(SRAM)
- 螺钉式接线端子
- 线对板针座
- 自恢复保险丝
- DC-DC电源芯片
多选 - 品牌
- Amphenol
- OMRON(欧姆龙)
- ST(意法半导体)
- TI(德州仪器)
- DORABO(地博电气)
- VISHAY(威世)
- MICROCHIP(美国微芯)
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- On-Shore Tech
- KEFA(科发)
- MAX(迈旭)
- TE Connectivity(泰科电子)
- Littelfuse(美国力特)
- JILN(锦凌)
- Phoenix Contact(菲尼克斯)
- VBsemi(微碧半导体)
- onsemi(安森美)
- ISSI(美国芯成)
- PANJIT(强茂)
- Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
多选 - 封装
- 插件
- P=3.81mm
- 插件,P=3.81mm
- SOP-8
- 插件,P=3.5mm
- P=3.5mm
- TO-220
- 弯插,P=3.81mm
- TO-252
- TO-263
- 弯插,P=3.5mm
- LQFP-100(14x14)
- TO-220-2
- 插件,P=5mm
- LQFP-64(10x10)
- TO-220F
- SMC(DO-214AB)
- SOT-23(TO-236)
- DFN1006-2(SOD-882)
- 1206
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 存储容量
- 64Mbit
- 工作电压
- 1.7V~2V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
- 时钟频率(fc)
- 200MHz
描述特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。最大时钟频率：200MHz。双倍数据速率（DDR）高达 400MT/s
- 收藏
- 对比
- ￥67.66
- ￥64.81
- ￥63.02
- ￥61.19
- ￥60.36
- ￥60
- 现货
- 5757
480个/托盘
总额￥0
近期成交9单
描述支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器
- 收藏
- 对比
- ￥13.98
- ￥11.86
- ￥10.53
- ￥9.18
- ￥8.56
- ￥8.3
- 现货
- 4223
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交48单
- 接口类型
- SPI
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 4Mbit
- 工作电压
- 2.7V~3.6V
描述支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器
- 收藏
- 对比
- ￥19.08
- ￥16.22
- ￥14.43
- ￥12.12
- ￥11.29
- ￥10.93
- 现货
- 2167
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交32单
- 存储容量
- 256Mbit
- 工作电压
- 1.7V~2V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
- 时钟频率(fc)
- 200MHz
描述特性：接口：HyperBus。 电源：1.7V~2.0V。 最大时钟频率：250MHz。 双倍数据速率（DDR）高达500MB/s
- 收藏
- 对比
- ￥68.9
- ￥65.48
- ￥63.44
- ￥61.38
- ￥60.43
- 现货
- 936
480个/托盘
总额￥0
近期成交35单
描述MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件在存储器中进行读写操作时均可随机进行，写入之间无延迟
- 收藏
- 对比
- ￥43.32
- ￥37.17
- ￥32.74
- ￥29.05
- ￥27.34
- 现货
- 1016
570个/托盘
总额￥0
近期成交24单
描述MR2xH40 是一系列 4,194,304 位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为 524,288 个 8 位字。对于那些必须使用少量 I/O 引脚快速存储和检索数据及程序的应用来说，它们是理想的存储解决方案。它们具有与串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制
- 收藏
- 对比
- ￥119.02
- ￥113.75
- ￥104.62
- ￥96.65
- 现货
- 685
570个/托盘
总额￥0
近期成交4单
描述特性：无写入延迟。 无限写入耐久性。 数据保留超过20年。 掉电时自动数据保护。 块写保护。 快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40 MHz。 2.7至3.6伏电源范围。 低电流睡眠模式。 工业和汽车1级和3级温度范围。 提供8引脚DFN或8引脚DFN小旗形符合RoHS标准的封装。 可直接替代串行EEPROM、闪存、铁电随机存取存储器。 工业级和AEC-Q100 1级和3级可选。 湿度敏感度等级为MSL-3
- 收藏
- 对比
- ￥26.16
- ￥22.46
- ￥20.26
- ￥18.03
- ￥17.01
- 现货
- 612
570个/托盘
总额￥0
近期成交9单
描述MR256D08B是一款262,144位的磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为32,768个8位字。它支持+1.65至+3.6伏的I/O电压。MR256D08B提供与SRAM兼容的45ns读写时序，且具有无限的耐久性
- 收藏
- 对比
- ￥33.5405
- ￥23.0958
- ￥15.544
- ￥14.1752
- 现货
- 20
2000个/圆盘
总额￥0
描述是一款2 Mbit串行SRAM设备。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。此外，如果应用需要更快的数据速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）。该设备还支持对内存阵列进行无限次读写。
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥38.36
- ￥37.52
- ￥36.96
- 现货
- 10
100个/管
总额￥0
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 1Mbit
描述是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM），组织为131,072个8位字。提供与SRAM兼容的35 ns读写时序，具有无限耐久性。数据始终保持非易失性超20年。通过低压抑制电路在掉电时自动保护数据，防止因电压超出规格而写入。适用于必须永久存储和快速检索关键数据及程序的应用。有小尺寸400密耳、44引脚塑料小外形TSOP-2封装、8 mm x 8 mm或48引脚球栅阵列（BGA）封装，这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。可在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储，提供商业温度范围（0至 +70°C）和工业温度范围（-40至 +85°C）。
- 收藏
- 对比
- ￥64.36
- ￥55.82
- ￥50.61
- 现货
- 1
135个/托盘
总额￥0
近期成交3单
- 收藏
- 对比
- ￥41.35
- ￥35.87
- ￥32.54
- 现货
- 38
1500个/圆盘
总额￥0
- 收藏
- 对比
- ￥217.91
- ￥207.72
- 现货
- 20
135个/托盘
总额￥0
近期成交2单
描述基于磁阻技术的SRAM存储器（MRAM），容量：4Mb (256K x 16)
- 收藏
- 对比
- ￥123.51
- ￥118.08
- ￥108.67
- 现货
- 10
135个/托盘
总额￥0
近期成交1单
- 接口类型
- SPI
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 8Mbit
描述Mxxxx204是一款磁阻随机存取存储器（MRAM），其存储密度范围为4Mbit至16Mbit。MRAM技术类似于闪存技术，具有与SRAM兼容的读写时序（非易失性SRAM，P - SRAM），数据始终为非易失性。MRAM是真正的随机存取存储器，允许在存储器中随机进行读写操作
- 收藏
- 对比
- ￥223.11
- ￥212.88
- 现货
- 25
225个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 存储容量
- 128Mbit
- 工作电压
- 1.8V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
- 时钟频率(fc)
- 200MHz
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥26.49
- ￥26.03
- ￥25.73
- ￥25.42
1500个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 存储容量
- 128Mbit
- 工作电压
- 3V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
- 时钟频率(fc)
- 200MHz
描述特性：接口：HyperBus。 电源：1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。 最大时钟速率：200MHz。 双倍数据速率（DDR）高达 400MT/s
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥31.54
- ￥27.31
- ￥24.79
- ￥22.25
- ￥21.07
- ￥20.54
90个/托盘
总额￥0
近期成交1单
- 存储容量
- 512Mbit
- 工作电压
- 1.7V~2V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
- 时钟频率(fc)
- 200MHz
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥58.3
- ￥57.32
- ￥56.66
- ￥56.01
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交4单
- 接口类型
- SPI
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 1Mbit
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥55.56
- ￥22.17
- ￥21.43
- ￥21.07
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 接口类型
- SPI
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 4Mbit
描述MR2xH40 是一系列 4,194,304 位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为 524,288 个 8 位字。对于那些必须使用少量 I/O 引脚快速存储和检索数据及程序的应用来说，它们是理想的存储解决方案。它们具有与串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥108.9
- ￥103.99
- ￥95.5
- ￥88.1
570个/托盘
总额￥0
近期成交2单
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 16Mbit
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥302.45
- ￥120.68
- ￥116.65
- ￥114.66
1000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 存储容量
- 32Mbit
- 工作电压
- 1.7V~2V
- 工作温度
- -40℃~+85℃
- 时钟频率(fc)
- 200MHz
描述HyperBus是一种低信号数量的双倍数据速率（DDR）接口，可实现高速读写吞吐量。DDR协议在DQ输入/输出信号上每个时钟周期传输两个数据字节。HyperBus上的读写事务包括在内部HyperRAM阵列上进行一系列16位宽、一个时钟周期的数据传输，以及在DQ信号上进行两次对应的8位宽、半个时钟周期的数据传输
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥14.06
- ￥11.95
- ￥10.63
- ￥9.28
- ￥8.67
- ￥8.4
480个/托盘
总额￥0
近期成交14单
描述是一款2 Mbit串行SRAM设备。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。此外，如果应用需要更快的数据速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）。该设备还支持对内存阵列进行无限次读写。
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥36.72
- ￥35.92
- ￥35.38
- ￥34.85
100个/袋
总额￥0
近期成交1单
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 16Mbit
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥240.2
- ￥95.85
- ￥92.64
- ￥91.06
240个/托盘
总额￥0
近期成交2单
- 接口类型
- 并口(Parallel)
- 存储容量
- 32Mbit
- 工作温度
- -40℃~+85℃
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥458.51
- ￥182.95
- ￥176.84
- ￥173.82
108个/托盘
总额￥0
近期成交1单
- 接口类型
- SPI
- 存储容量
- 128Kbit
- 工作温度
- -40℃~+85℃
描述MR25H128A是一款128Kbit的磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为16384个8位字。MR25H128A提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件的读写操作均可在存储器中随机进行，写入操作之间无延迟
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥28.17
- ￥11.24
- ￥10.87
- ￥10.68
570个/托盘
总额￥0
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 256Kbit
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥56.85
- ￥22.69
- ￥21.93
- ￥21.56
135个/托盘
总额￥0
近期成交2单
- 收藏
- 对比
- ￥88.946657
- 库存
- 1710
- 增量
- 570
- 最小包装
- 570个
总额￥0
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 256Kbit
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥134.17
- ￥128.13
- ￥117.67
- ￥108.54
348个/托盘
总额￥0
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 4Mbit
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥153.84
- ￥139.21
- ￥132.01
135个/托盘
总额￥0
- 存储器构架(格式)
- MRAM
- 存储容量
- 4Mbit
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥191.8
- ￥76.53
- ￥73.98
- ￥72.71
135个/托盘
总额￥0
近期成交2单
