S1G-E3/61T

品牌

VISHAY(威世)

封装

SMA(DO-214AC)

类目

通用二极管

编号

C466986

二极管配置

1个独立式

正向压降(Vf)

1.1V@1A

直流反向耐压(Vr)

400V

整流电流

1A

描述特性：低外形封装，适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：用于电源、逆变器、转换器的通用整流。 用于消费、汽车和电信领域的续流二极管

RoHSSMT扩展库

RS1G-E3/61T

品牌

VISHAY(威世)

封装

DO-214AC

类目

开关二极管

编号

C2928661

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

1.3V@1A

直流反向耐压(Vr)

400V

整流电流

1A

描述特性：低外形封装，适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 快速开关，效率高。 高正向浪涌能力。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级，LF 最大峰值 260℃。 可提供 AEC-Q101 认证。应用：用于电源、逆变器、转换器的快速开关整流。 用于消费、汽车和电信领域的续流二极管

RoHSSMT扩展库

HUS1GE361T

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SMA

类目

快恢复/高效率二极管

编号

C42389404

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

1.3V@1A

直流反向耐压(Vr)

400V

整流电流

1A

描述这款快恢复二极管具有1A的正向电流（IF）承载能力，以及400V的最大反向电压（VR），适用于多种高频电路中。其正向电压降（VF）为1.3V，有效降低导通时的功耗。在反向状态下，漏电流（IR）不超过5µA，确保了较低的能量损失。瞬态条件下，该二极管可以承受高达30A的正向浪涌电流（IFSM），增强了其应对突发大电流的能力。这些特性使它成为需要快速开关及高效率性能的电路设计中的优选元件。

SMT扩展库

M4

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SMA(DO-214AC)

类目

通用二极管

编号

C18199095

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

1V@1A

直流反向耐压(Vr)

400V

整流电流

1A

描述整流二极管

RoHSSMT扩展库

S1G

品牌

TWGMC(迪嘉)

封装

SMA(DO-214AC)

类目

通用二极管

编号

C727098

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

1.1V@1A

直流反向耐压(Vr)

400V

整流电流

1A

描述特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。适用于印刷电路板。开放式结芯片。低反向泄漏。高正向浪涌电流能力。保证高温焊接：端子在250℃下持续10秒

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