- 类目
- 圆形(线缆)连接器
- 线对板针座
- 排母
- 逻辑门
- 场效应管(MOSFET)
- 运算放大器
- 胶壳端子
- 连接器外壳
- 预编程振荡器
- 专业电源管理(PMIC)
- 排针
- 压力传感器
- 触发器
- 信号开关/编解码器/多路复用器
- 固态继电器(可控硅输出)
- 冷压端子
- 线性稳压器(LDO)
- 实时时钟(RTC)
- 缓冲器/驱动器/收发器
- 锡丝/锡线
多选 - 品牌
- SAMTEC
- Glenair
- Powell Electronics
- TI(德州仪器)
- MOLEX
- Bulgin
- MICROCHIP(美国微芯)
- EPSON(爱普生)
- Infineon(英飞凌)
- ODU
- PEI-Genesis
- OMRON(欧姆龙)
- JST
- Sensata(森萨塔)
- TECH PUBLIC(台舟)
- KUU
- onsemi(安森美)
- 施耐德
- UMW(友台半导体)
- MSKSEMI(美森科)
多选 - 封装
- SMD
- SMD,P=1.27mm
- SOP-8
- DIP-14
- SOT-323(SC-70)
- SOT-23(TO-236)
- 插件
- LCC-20(8.9x8.9)
- SOP-14
- DIP-16
- SOJ-4
- SOJ-4(9.8x14)
- SOT-523(SC-75)
- TSSOP-14
- SOP-14-5mm
- SOT-23-6
- 弯插,P=4.2mm
- 插件,P=2.54mm
- 插件,P=4.2mm
- 1206
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 7V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述双低功耗轨对轨运算放大器
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3300个/圆盘
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近期成交100单+
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 7V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述是单电源、低功耗CMOS双运算放大器，这些放大器带宽为1MHz，具有轨到轨输入和输出，单电源工作电压范围为1.8V至5.5V。一个芯片内的双运算放大器典型低静态电源电流为110μA，极低的输入偏置电流为10μA，使该器件成为低失调、低功耗和高阻抗应用（如烟雾探测器、光电二极管放大器和其他传感器）的理想选择。有SOP-8L和MSOP-8L封装。在所有电源电压下，扩展温度范围为-40℃至 + 125℃，提供了额外的设计灵活性。
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- 对比
- ￥1.302782
- ￥1.006768
- ￥0.879943
- ￥0.721612
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- 25K+
4000个/圆盘
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近期成交75单
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 5.5V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述MCP6001/2/4 系列运算放大器专门为通用应用而设计。该系列的增益带宽积（GBWP）为 1 MHz，相位裕度典型值为 90°。在连接 500 pF 容性负载时，其相位裕度典型值仍能保持在 45°
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- ￥2.1716
- ￥1.6855
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100个/管
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近期成交100单+
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 5.5V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述MCP6001/2/4 系列运算放大器专门为通用应用而设计。该系列的增益带宽积（GBWP）为 1 MHz，相位裕度典型值为 90°。在连接 500 pF 容性负载时，其相位裕度典型值仍能保持在 45°
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- 对比
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3300个/圆盘
总额￥0
近期成交49单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
描述带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 对比
- ￥0.0794
- ￥0.0586
- ￥0.0511
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- ￥0.0382
- ￥0.035
- 广东仓
- 4450
- 江苏仓
- 5750
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 36V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述高压通用双运放大器采用先进BCD工艺，全流程车规标准管控，运用特色的电路设计技术，经典的轨到轨输入输出摆幅，在全工作电压和工作温度范围内具有很高的一致性和对称性。尤其适合于一些成本要求高，空间要求小的场合，对电路整体搭配起到很好的协调兼顾作用。内置过载保护电路可以让放大器在过载的同时启动恢复功能，同时在短时间内恢复工作，极大增强了电路的可靠性。
RoHS
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- 对比
- ￥0.7983
- ￥0.6933
- ￥0.6483
- ￥0.5922
- ￥0.5672
- ￥0.5522
- 广东仓
- 3565
4000个/圆盘
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 200mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5Ω@10V
描述特性：N沟道增强模式。 逻辑电平。 dv/dt额定。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
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- 收藏
- 对比
- ￥0.424612
- ￥0.326568
- ￥0.259224
- ￥0.24584
- ￥0.235144
- ￥0.229768
- 广东仓
- 9860
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 7V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述MCP6002是一款双路轨到轨输入输出低电压低噪声的运算放大器，增益带宽积达1M.
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- 对比
- ￥0.58761
- ￥0.45801
- ￥0.39321
- ￥0.34461
- ￥0.30573
- ￥0.2862
- 广东仓
- 695
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 6V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述MCP6001/2/4 系列运算放大器专为通用应用而设计。该系列的增益带宽积（GBWP）为 1 MHz，相位裕度典型值为 90°。在连接 500 pF 容性负载时，其相位裕度仍能保持典型值 45°
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- 收藏
- 对比
- ￥0.6484
- ￥0.5126
- ￥0.4446
- ￥0.3937
- ￥0.353
- ￥0.3326
- 广东仓
- 1755
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交5单
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 7V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述MCP6002是一款双路轨到轨输入输出低电压低噪声的运算放大器，增益带宽积达1M.
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- 收藏
- 对比
- ￥0.7072
- ￥0.5536
- ￥0.4768
- ￥0.4192
- ￥0.3731
- ￥0.35
- 广东仓
- 2145
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.45Ω@10V
描述特性：低导通电阻。 ESD保护栅极高达2kV HBM。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：N沟道增强型效应晶体管。 开关应用
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1174
- ￥0.0906
- ￥0.0758
- 广东仓
- 2700
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.8Ω@10V
描述特性：VDS = 60V。 ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1311
- ￥0.1014
- ￥0.0849
- 广东仓
- 2440
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 收藏
- 对比
- ￥0.6049
- ￥0.5413
- ￥0.5094
- ￥0.4856
- ￥0.4665
- ￥0.4569
- 广东仓
- 5680
10000个/圆盘
总额￥0
近期成交7单
- 放大器数
- 双路
- 增益带宽积(GBP)
- 1.5MHz
- 输入偏置电流(Ib)
- 2pA
- 输入失调电压(Vos)
- 500uV
描述超低功耗50uA,输入偏置电流3PA，广泛用于电子秤，温控器，医疗电子，电子手持设备等
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.68652
- ￥0.53532
- ￥0.45972
- ￥0.40302
- ￥0.35766
- ￥0.33498
- 广东仓
- 690
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交12单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 300mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.45Ω@10V
描述特性：低导通电阻。 ESD保护栅极高达2kV HBM。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：N沟道增强型效应晶体管。 开关应用
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.1174
- ￥0.0906
- ￥0.0758
- 广东仓
- 2900
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交3单
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 6V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述这款双路运算放大器具有1MHz的增益带宽积，适用于需要同时处理两路信号的场景。其输入偏置电流仅为1pA，极大地减少了对信号源的影响，适合于高阻抗信号源的应用。0.6V/μs的压摆率表明它能够快速响应电压变化，适合于中等速度的信号处理任务，如精密仪器、音频设备或通信系统等领域，确保了高效且精确的信号放大。
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥1.0548
- ￥0.82827
- ￥0.73107
- ￥0.60993
- ￥0.55602
- ￥0.52362
- 广东仓
- 330
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 5.5V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1.5MHz
描述0.5mV Vos,1.5MHz,2通道运放,工作电压1.8v-5.5v，超低功耗50uA，电源电压抑制比80dB,输入偏置电流2PA，广泛用于电子秤，温控器，医疗电子，电子手持设备等
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.6425
- ￥0.4985
- ￥0.4265
- ￥0.3725
- ￥0.3713
- ￥0.3497
- 广东仓
- 0
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交46单
- 放大器数
- 双路
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 7.5V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBP)
- 1MHz
描述运算放大器
- 收藏
- 对比
- ￥0.70851
- ￥0.618735
- ￥0.58026
- ￥0.532285
- ￥0.51091
- ￥0.498085
- 广东仓
- 2450
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 250mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
RoHSSMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥0.15844
- ￥0.154785
- ￥0.15232
- ￥0.149855
- 广东仓
- 250
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
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