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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 660mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 650mΩ@4.5V
描述小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.66A, Rdson:650mR
- 收藏
- 对比
- ¥0.0834
- ¥0.0645
- ¥0.054
- ¥0.0487
现货最快4小时发货
- 现货
- 13K+
8000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交29单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 660mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@4.5V
描述小电流MOSFET产品,P沟道,ESD防护,耐压:-20V,电流:-0.66A, Rdson:650mR,印字:KD
- 收藏
- 对比
- ¥0.0869
- ¥0.0675
- ¥0.0567
- ¥0.0513
现货最快4小时发货
- 现货
- 13K+
8000个/圆盘
个
总额¥0
近期成交5单



