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- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 400A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2mΩ@4.5V；0.7mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 327W
描述大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：400A,Rdson：0.7mR
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