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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V；14mΩ@4.5V
描述中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V,电流：-80A,RDSON:11mR
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