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- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12.5mΩ@4.5V
描述特性：P沟道增强模式。 逻辑电平。 175℃工作温度。 雪崩额定。 dv/dt额定。 高电流额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准
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