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    • 场效应管(MOSFET)
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    • VISHAY(威世)
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1个P沟道 耐压:40V 电流:60A
SQJ409EP-T1_GE3
品牌
VISHAY(威世)
封装
PowerPAK-SO-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C727776
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
7mΩ@10V

描述特性:TrenchFET功率MOSFET通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试

个

近期成交41单

SQJ409EP-T2_GE3
SQJ409EP-T2_GE3
品牌
VISHAY(威世)
封装
PowerPAKSO-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5924516
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
5.8mΩ@10V
个

近期成交1单

汽车用P沟道MOSFET,采用TrenchFET技术,通过AEC - Q101认证
SQJ409EP-T1_BE3
品牌
VISHAY(威世)
封装
PowerPAKSO-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7083966
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
5.8mΩ@10V
个

近期成交1单