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- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 330mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.31Ω@4.5V
描述特性：1.5V驱动低导通电阻: -Rₒₙ = 3.60Ω（最大值）(V_GS =-1.5V)。 -Rₒₙ = 2.70Ω（最大值）(V_GS =-1.8V)。 -Rₒₙ = 1.60Ω（最大值）(V_GS =-2.8V)。 -Rₒₙ = 1.31Ω（最大值）(V_GS =-4.5V)
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- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 230mΩ@4.5V
描述HSST3139 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSST3139 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
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