SSM6N7002BFE,LM

品牌

TOSHIBA(东芝)

封装

SOT-563(SOT-666)

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C17461588

数量

2个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

200mA

导通电阻(RDS(on))

3.3Ω@4.5V

描述特性：小封装。 低导通电阻：RDS(ON) = 3.3Ω (max)(VGS = 4.5V)。 低导通电阻：RDS(ON) = 2.6Ω (max)(VGS = 5V)。 低导通电阻：RDS(ON) = 2.1Ω (max)(VGS = 10V)。应用：高速开关应用。 模拟开关应用

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