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价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 525V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.5Ω@10V
描述这些器件是采用UltraFASTmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET，该技术将低导通电阻、齐纳栅极保护和极高的dv/dt能力的优势与增强型快速体-漏极恢复二极管相结合。
- 收藏
- 对比
- ￥4.42
- ￥3.55
- ￥3.12
- ￥2.69
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 242
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.1Ω@10V
描述台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；650V；4A；RDS(ON)=2200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Plannar技术；
- 收藏
- 对比
- ￥1.89
- ￥1.85
- ￥1.82
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 10
2500个/圆盘
个
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