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N沟道,1200V、30A、TO-247封装功率IGBT
STGW30NC120HD
品牌
ST(意法半导体)
封装
TO-247
类目
IGBT管/模块
编号
C5357396
耗散功率(Pd)
220W
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
60A
集射极饱和电压(VCE(sat))
2.75V@20A,15V

描述采用基于其专利条形布局的最新高压技术,设计了一系列先进的 IGBT,性能卓越。后缀 “H” 标识的系列针对高频应用进行了优化,以在保持低电压降的同时实现极高的开关性能(缩短下降时间 tfall)。

RoHS

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