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操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 680mΩ@10V
描述采用 H2PAK-2 封装的汽车级 N 沟道 800 V、0.60 欧姆（典型值）、8 A MDmesh K5 功率 MOSFET
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- 对比
- ￥15.84
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- ￥10.32
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个
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