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- 类目
- 碳化硅二极管
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- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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操作
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 整流电流
- 38A
- 正向压降(Vf)
- 1.5V@15A
- 直流反向耐压(Vr)
- 1.2kV
描述1200 V 碳化硅功率肖特基二极管
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个
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- 整流电流
- 88A
- 正向压降(Vf)
- 1.8V@15A
- 直流反向耐压(Vr)
- 1.2kV
- 反向电流(Ir)
- 200uA@1200V
描述此款碳化硅二极管设计有30安培的最大正向电流(IF)，并且能够承受1200伏特的反向电压(VR)，确保在高电压条件下稳定工作。它拥有1.5伏特的正向电压降(VF)，有助于减少运行时的电力损耗。二极管的反向电流(IR)被限制在200微安，表明其具有良好的绝缘性能。瞬态正向电流(IFSM)最高可达100安培，这表明它具备处理短时电流激增的能力。这些技术规格使其非常适合应用于要求高性能和低能耗的系统中。
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