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- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 55V
- 连续漏极电流(Id)
- 17A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@10V
描述SVDZ24NT是一款采用矽力杰新型平面VDMOS工艺制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源
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