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- 场效应管(MOSFET)
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1个N沟道耐压:650V 电流:12A

品牌: SILAN(士兰微)

封装: TO-220F-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C467745

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 640mΩ@10V,6A

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1个N沟道耐压:650V 电流:12A

品牌: SILAN(士兰微)

封装: TO-220F

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18781

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 640mΩ@10V

描述N沟道,650V,12A,680mΩ@10V

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