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- 类目
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
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- HXY MOSFET(华轩阳电子)
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操作
- 反向截止电压(Vrwm)
- 36V
- 钳位电压
- 58.1V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 3.4A
- 峰值脉冲功率(Ppp)
- 200W
描述旨在保护敏感系统或组件免受高压、高能量瞬变影响。它响应时间快、齐纳阻抗低、浪涌能力强，钳位能力出色。由于其尺寸小，适用于手机、便携式设备、商用机器、电源和其他工业及消费类应用。
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- 对比
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- ￥1.53
- ￥1.4
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- 极性
- 单向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 36V
- 钳位电压
- 58.1V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 3.4A
描述该静电和浪涌保护器件为单向TVS二极管，具有3.4安培的峰值脉冲电流（IPP）处理能力，在反向工作电压（VRWM）下可承受高达36伏特的电压。适用于单线路保护，能够在数据通信接口等敏感电路中提供瞬态电压抑制，有效防止因瞬时过压而造成的损害，确保设备稳定运行。
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- 对比
8折
- ￥0.58704
- ￥0.57408
- ￥0.56552
- ￥0.55688
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3000个/圆盘
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近期成交2单
替代参考
- 极性
- 单向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 36V
- 钳位电压
- 58.1V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 3.44A
描述SMF系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
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替代参考
- 极性
- 单向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 36V
- 钳位电压
- 58.1V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 3.4A
描述这款SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管，专为36V系统提供过电压保护。具备出色的峰值脉冲电流IPP承载能力（3.4A），能在电路遭受正向瞬态过电压时迅速响应并有效钳位，防止浪涌和瞬态事件对电子设备造成损害，是高压电源线、信号接口的理想防护组件。
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