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描述适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道隔离栅极驱动器，具有4.5A源电流和5.3A灌电流峰值输出电流，5.0kVRMS加强绝缘等级。33V的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。可驱动低端和高端功率FET。与标准光耦合器基栅极驱动器相比，关键特性显著提升了性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度（CMTI）、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的工艺控制导致小的器件间偏差
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