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1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
UT3401G-AE3-R
品牌
UTC(友顺)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C127014
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.2A
导通电阻(RDS(on))
120mΩ@2.5V,1A

描述该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存18
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3000/圆盘

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近期成交4单

P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
UT3401G-AE3-R-VB
品牌
VBsemi(微碧半导体)
封装
SOT-23(TO-236)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22389361
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5.6A
导通电阻(RDS(on))
46mΩ@10V
耗散功率(Pd)
2.5W

描述SOT23;P—Channel沟道,-30V;-5.6A;RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15
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3000/圆盘

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近期成交1单

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
UT3401G-AE3-R-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18192821
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.3A
导通电阻(RDS(on))
78mΩ@2.5V,2.5A

描述应用于电源转换、电机驱动等领域,提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。

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