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操作
- 二极管配置
- 1对共阴极
- 正向压降(Vf)
- 670mV@20A
- 直流反向耐压(Vr)
- 100V
- 整流电流
- 20A
描述特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降，低功率损耗。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级，RoHS LF最高峰值245℃（适用于TO-263AB兼容封装）。 低热阻。 焊接浴温度最高275℃，持续10s（适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装）。应用：高频转换器。 开关电源
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