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W9412G6JB-5I
品牌
Winbond(华邦)
封装
TFBGA-54(8x8)
类目
DDR SDRAM
编号
C17204687
存储器构架(格式)
SDRAM DDR
存储容量
128Mbit
工作电压
2.3V~2.7V
工作电流
120mA

描述W9412G6JB 是一款CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),组织为2M字x4个库x16位。W9412G6JB的数据带宽高达每秒500M字(-4)。为了完全符合个人计算机工业标准,W9412G6JB分为以下速度等级:-4、-5和-5I。-4 符合DDR500/CL3和CL4规范。-5/-5I 符合DDR400/CL3规范(-5I 级别保证支持-40°C ~ 85°C)。所有输入参考时钟的正沿(除DQ、DM和CKE外)。通过可编程模式寄存器,系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发以最大化其性能。W9412G6JB适用于高性能应用的主要内存。

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W9412G6JB-5I TR
品牌
Winbond(华邦)
封装
TFBGA-54(8x8)
类目
DDR SDRAM
编号
C17377258
存储器构架(格式)
SDRAM DDR
时钟频率(fc)
200MHz
存储容量
128Mbit
工作电压
2.3V~2.7V

描述W9412G6JB 是一款CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),组织为2M字x4个库x16位。W9412G6JB的数据带宽高达每秒500M字(-4)。为了完全符合个人计算机工业标准,W9412G6JB分为以下速度等级:-4、-5和-5I。-4 符合DDR500/CL3和CL4规范。-5/-5I 符合DDR400/CL3规范(-5I 级别保证支持-40°C ~ 85°C)。所有输入参考时钟的正沿(除DQ、DM和CKE外)。通过可编程模式寄存器,系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发以最大化其性能。W9412G6JB适用于高性能应用的主要内存。

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