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1个N沟道 耐压:20V 电流:0.6A
WNM2046C-3/TR
品牌
WILLSEMI(韦尔)
封装
DFN1006-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C506106
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
600mA
导通电阻(RDS(on))
420mΩ@4.5V,0.6A

描述WPM2046C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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