晶体管_晶体管采购信息-立创电子元器件商城-第27页

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- 场效应管(MOSFET)
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MMBT3904-E

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C41371422

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存911K+

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对比

10+￥0.0449
100+￥0.0369
300+￥0.0325
3000+￥0.0276
6000+￥0.0253
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现货: 884K+

3000个/圆盘

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MMBT3904-E

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

备注: 流动库存，请提前询库存

批次: 24+25+

立推售价

18000+￥0.021

支付后6-8工作日

库存: 9KK

3000个/圆盘

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SS8050

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420370

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:200-350，丝印:Y1

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50+￥0.0727
500+￥0.0585
3000+￥0.0522
6000+￥0.0475
24000+￥0.0456
51000+￥0.0443

现货最快4小时发货

现货: 1KK+

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爆款

S8050

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20069125

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:200-350，丝印:J3Y

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50+￥0.0638
500+￥0.05
3000+￥0.0381
6000+￥0.0335
24000+￥0.0317
51000+￥0.0304

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现货: 1KK

3000个/圆盘

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爆款

MMBT3904

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420353

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述hFE:100-300，丝印:1AM

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2KK+

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对比

50+￥0.0567
500+￥0.0471
3000+￥0.0333
6000+￥0.0301
24000+￥0.0289
51000+￥0.028

现货最快4小时发货

现货: 2KK+

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交100单+

爆款

MMBT5551

品牌: R+O(宏嘉诚)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C7420357

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述hFE:100-300，丝印:G1

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2KK+

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对比

50+￥0.0742
500+￥0.0629
3000+￥0.0459
6000+￥0.0421
24000+￥0.0406
51000+￥0.0396

现货最快4小时发货

现货: 2KK+

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爆款

S8050

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C364312

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装，适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存770K+

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50+￥0.0688
500+￥0.0563
3000+￥0.0335
6000+￥0.0294
24000+￥0.0277
51000+￥0.0266

现货最快4小时发货在途3个工作日内发货

现货: 723K+

在途: 855K

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爆款

SS8050

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C431710

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装，适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存1KK+

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对比

50+￥0.0843
500+￥0.0702
3000+￥0.0393
6000+￥0.0346
24000+￥0.0327
51000+￥0.0314

现货最快4小时发货

现货: 1KK+

3000个/圆盘

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爆款

MMBT5551

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C408396

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存1KK+

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对比

50+￥0.0726
500+￥0.0564
3000+￥0.0447
6000+￥0.0393
24000+￥0.0371
51000+￥0.0357

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现货: 993K+

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S9013

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C431712

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存342K+

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50+￥0.0665
500+￥0.0527
3000+￥0.041
6000+￥0.0365
24000+￥0.0325
51000+￥0.0303

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现货: 341K+

3000个/圆盘

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S8550

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C364313

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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SMT补贴嘉立创库存778K+

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对比

50+￥0.0706
500+￥0.0593
3000+￥0.0439
6000+￥0.0401
24000+￥0.0369
51000+￥0.0352

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现货: 778K+

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交100单+

SS8550

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C364314

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存124K+

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对比

50+￥0.0778
500+￥0.0605
3000+￥0.0477
6000+￥0.042
24000+￥0.037
51000+￥0.0343

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现货: 121K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

MMBT5401

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C408397

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 150V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存167K+

私有库下单最高享92折

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对比

50+￥0.0787
500+￥0.0614
3000+￥0.0482
6000+￥0.0425
24000+￥0.0375
51000+￥0.0348

现货最快4小时发货

现货: 165K+

3000个/圆盘

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近期成交100单+

BSS123

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C427379

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 200mA

导通电阻(RDS(on)): 3Ω@10V

描述应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

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SMT补贴嘉立创库存171K+

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对比

50+￥0.1012
500+￥0.0817
3000+￥0.0669
6000+￥0.0604
24000+￥0.0548
51000+￥0.0517

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现货: 171K+

3000个/圆盘

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近期成交100单+

立推

BSS123

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

备注: 下单确认库存

立推售价

18000+￥0.0437

支付后4-6工作日

库存: 30K

3000个/圆盘

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MMBT5551-E

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C41371418

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存308K+

私有库下单最高享92折

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对比

10+￥0.0655
100+￥0.0539
300+￥0.0474
3000+￥0.0402
6000+￥0.0369
9000+￥0.035

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现货: 308K+

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交100单+

MMBT3904-1AM(RANGE:100-300)

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C364310

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存83K+

私有库下单最高享92折

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对比

50+￥0.0468
500+￥0.036
3000+￥0.0308
6000+￥0.0272
24000+￥0.0241
51000+￥0.0224

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现货: 83K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

MMBT3906

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C364311

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存142K+

私有库下单最高享92折

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对比

50+￥0.0503
500+￥0.0395
3000+￥0.0322
6000+￥0.0286
24000+￥0.0254
51000+￥0.0238

现货最快4小时发货

现货: 142K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

S9013-E

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C41371419

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存245K+

私有库下单最高享92折

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对比

10+￥0.052
100+￥0.0423
300+￥0.0369
3000+￥0.0309
6000+￥0.0281
9000+￥0.0266

现货最快4小时发货

现货: 242K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

S9014

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C364316

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述L档

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存64K+

私有库下单最高享92折

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对比

50+￥0.0671
500+￥0.0531
3000+￥0.0433
6000+￥0.0386
24000+￥0.0345
51000+￥0.0323

现货最快4小时发货

现货: 64K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交83单

S9012

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C431711

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存37K+

私有库下单最高享92折

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对比

50+￥0.0702
500+￥0.0556
3000+￥0.0465
6000+￥0.0416
24000+￥0.0374
51000+￥0.0352

现货最快4小时发货

现货: 36K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交72单

MMBT4401

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23-3

类目: 三极管(BJT)

编号: C408394

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存23K+

私有库下单最高享92折

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对比

50+￥0.0726
500+￥0.0636
3000+￥0.0542
6000+￥0.0512
24000+￥0.0486
51000+￥0.0472

现货最快4小时发货

现货: 23K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

BSS138

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C427380

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 50V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 1.1Ω@10V；2Ω@4.5V

描述应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+

私有库下单最高享92折

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对比

30+￥0.1041
300+￥0.0847
900+￥0.0739
3000+￥0.0597
15000+￥0.0541
30000+￥0.0511

现货最快4小时发货

现货: 7680

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

MMBT4403

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C408395

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9774

私有库下单最高享92折

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对比

50+￥0.1023
500+￥0.0801
3000+￥0.0658
6000+￥0.0584
24000+￥0.052
51000+￥0.0486

现货最快4小时发货

现货: 9750

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

BC847C

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C840838

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6519

私有库下单最高享92折

收藏
对比

50+￥0.0914
500+￥0.0715
3000+￥0.0584
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MMBT3904(RANGE:100-300)

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C20526

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述丝印1A

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MMBT5551(RANGE:200-300)

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2145

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 600mA

集射极击穿电压(Vceo): 160V

耗散功率(Pd): 300mW

描述特性：与MMBT5401互补，非常适合中功率放大和开关

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S8050 J3Y(RANGE:200-350)

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2146

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述丝印J3Y

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BC817-25

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2858531

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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2N7002KT

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-523

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C45406498

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 3.2Ω@4.5V

描述60V N通道增强模式MOSFET

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MMBT3906T

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-523

类目: 三极管(BJT)

编号: C45406499

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 150mW

描述SOT-523塑料封装晶体管

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MMDT3946

品牌: MDD(辰达半导体)

封装: SOT-363

类目: 三极管(BJT)

编号: C49383129

晶体管类型: NPN+PNP

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 200mW

描述SOT-363塑料封装晶体管

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