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hFE:100-300 NPN 电流:200mA 电压:40V
MMBT3904-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41371422
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT3904-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
备注
流动库存,请提前询库存
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9KK

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SS8050
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C7420370
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述hFE:200-350,丝印:Y1

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3000/圆盘

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S8050
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C20069125
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述hFE:200-350,丝印:J3Y

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MMBT3904
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C7420353
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述hFE:100-300,丝印:1AM

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MMBT5551
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C7420357
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述hFE:100-300,丝印:G1

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S8050
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364312
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。

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SS8050
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C431710
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。

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MMBT5551
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C408396
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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NPN 电流:0.5A 电压:25V
S9013
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C431712
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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PNP 电流:0.5A 电压:25V
S8550
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364313
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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H档200-350 PNP 电流:1.5A 电压:25V
SS8550
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364314
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
1.5A
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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121K+

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PNP 电流:0.6A 电压:150V
MMBT5401
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23-3
类目
三极管(BJT)
编号
C408397
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
150V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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165K+

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近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:200mA
BSS123
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C427379
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
3Ω@10V

描述应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

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171K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

BSS123
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
备注
下单确认库存
立推售价
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库存
30K

3000/圆盘

总额0

NPN 电流:0.6A 电压:160V
MMBT5551-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41371418
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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308K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

hFE:100-300 NPN 电流:200mA 电压:40V
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存83K+
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83K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

PNP 电流:200mA 电压:40V
MMBT3906
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364311
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存142K+
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142K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:0.5A 电压:25V
S9013-E
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C41371419
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存245K+
私有库下单最高享92折
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242K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

NPN 电流:100mA 电压:45V
S9014
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C364316
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述L档

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存64K+
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64K+

3000/圆盘

总额0

近期成交83单

PNP 电流:0.5A 电压:25V
S9012
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C431711
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存37K+
私有库下单最高享92折
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36K+

3000/圆盘

总额0

近期成交72单

NPN 电流:600mA 电压:40V
MMBT4401
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23-3
类目
三极管(BJT)
编号
C408394
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存23K+
私有库下单最高享92折
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23K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:50V 电流:340mA
BSS138
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C427380
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
50V
连续漏极电流(Id)
340mA
导通电阻(RDS(on))
1.1Ω@10V;2Ω@4.5V

描述应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存15K+
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现货
7620

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

PNP 电流:600mA 电压:40V
MMBT4403
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C408395
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9774
私有库下单最高享92折
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  • 0.1023
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现货
9750

3000/圆盘

总额0

近期成交22单

NPN 电流:0.1A 电压:45V
BC847C
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C840838
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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近期成交20单

晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述丝印1A

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近期成交100单+

晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
600mA
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
300mW

描述特性:与MMBT5401互补,非常适合中功率放大和开关

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近期成交100单+

晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
25V
耗散功率(Pd)
300mW

描述丝印J3Y

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近期成交100单+

NPN 电流:0.5A 电压:45V
BC817-25
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C2858531
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
500mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
300mW

描述该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

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近期成交27单

60V N通道增强模式MOSFET
2N7002KT
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-523
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C45406498
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
340mA
导通电阻(RDS(on))
3.2Ω@4.5V

描述60V N通道增强模式MOSFET

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近期成交91单

SOT-523塑料封装晶体管 PNP 电流:0.2A 电压:40V
MMBT3906T
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-523
类目
三极管(BJT)
编号
C45406499
晶体管类型
PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
150mW

描述SOT-523塑料封装晶体管

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近期成交31单

SOT-363封装双晶体管(NPN+PNP)
MMDT3946
品牌
MDD(辰达半导体)
封装
SOT-363
类目
三极管(BJT)
编号
C49383129
晶体管类型
NPN+PNP
集电极电流(Ic)
200mA
集射极击穿电压(Vceo)
40V
耗散功率(Pd)
200mW

描述SOT-363塑料封装晶体管

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