- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 肖特基二极管
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 发光二极管/LED
- 晶体管输出光耦
- 电压基准芯片
- 气体放电管(GDT)
- 压敏电阻
- 栅极驱动芯片
- 稳压二极管
- 碳化硅二极管
- 三极管(BJT)
- 槽型光电开关(光电晶体管输出)
- 逻辑输出光耦
- 线性稳压器(LDO)
- 快恢复/高效率二极管
- 锁存器
- 数字晶体管
- LED驱动
多选 - 品牌
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- VBsemi(微碧半导体)
- TECH PUBLIC(台舟)
- onsemi(安森美)
- DIODES(美台)
- VISHAY(威世)
- JSMSEMI(杰盛微)
- Infineon(英飞凌)
- Nexperia(安世)
- MSKSEMI(美森科)
- Brightking(君耀电子)
- TI(德州仪器)
- RUILON(瑞隆源)
- Chau Light(洲光源)
- SURGING(绍鑫)
- ST(意法半导体)
- EG(屹晶微)
- Broadcom(博通)
- 国星光电
- LITEON(光宝)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- TO-252
- SOP-8
- DFN-8(5x6)
- TO-263
- DFN-8(3x3)
- TO-220
- SOD-323(SC-90)
- SOD-123
- TO-220F
- TO-247
- SOT-23-6
- DFN1006-2(SOD-882)
- SOT-363
- SOT-89
- DIP-4
- SOT-523(SC-75)
- 0603
- DFN-6(2x2)
- SOT-323(SC-70)
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 18V
- 反向电流(Ir)
- 5uA
- 稳压值(范围)
- 16.8V~19.2V
描述特性:低齐纳阻抗。 功率耗散为 1000mW。 高稳定性和高可靠性。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。应用:齐纳二极管通常用作稳压电源中的参考电压源或过压保护电路中的保护二极管
- 收藏
- 对比
- ¥0.204
- ¥0.1819
- ¥0.1697
- ¥0.1532
- ¥0.1468
- ¥0.1434
- 现货
- 16K+
5000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 11V;11V
- 反向电流(Ir)
- 100nA@8V
- 稳压值(范围)
- 10.78V~11.22V
描述特性:低齐纳阻抗。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。应用:齐纳二极管通常用作稳压电源中的参考电压源,或用作过压保护电路中的保护二极管
- 收藏
- 对比
- ¥0.1035
- ¥0.0808
- ¥0.0682
- ¥0.0607
- ¥0.0541
- ¥0.0506
- 现货
- 35K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交15单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 10V
- 反向电流(Ir)
- 200nA@7V
- 稳压值(范围)
- 9.4V~10.6V
描述特性:低齐纳阻抗。 功率耗散:150mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值为260°C。应用:齐纳二极管通常用作稳压电源中的参考电压源,或用作过压保护电路中的保护二极管。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1198
- ¥0.0937
- ¥0.0792
- ¥0.0705
- ¥0.063
- ¥0.059
- 现货
- 34K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交76单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 20V
- 反向电流(Ir)
- 100nA
- 稳压值(范围)
- 19V~21V
描述特性:低齐纳阻抗。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:稳压电源中的参考电压源。 过压保护电路中的保护二极管
- 收藏
- 对比
- ¥0.1423
- ¥0.1099
- ¥0.0919
- ¥0.0811
- ¥0.0717
- ¥0.0666
- 现货
- 19K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交28单
- 发光颜色
- 翠绿色
- 正向压降(Vf)
- 2.6V~3.6V
- 功率
- 72mW
- 正向电流
- 20mA
描述本产品主要作为信号指示及照明的电子元件广泛应用于各类使用表面贴装结构的电子产品中,如家用电器的开关指示灯、手机键盘灯、汽车仪表盘指示灯等。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1053
- ¥0.0826
- ¥0.0725
- ¥0.0538
- ¥0.0508
- ¥0.0488
- 现货
- 318K+
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 二极管配置
- 1个独立式
- 正向压降(Vf)
- 510mV@500mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 40V
- 整流电流
- 500mA
描述肖特基功率整流器采用了肖特基势垒原理,其势垒金属可实现最佳的正向压降-反向电流权衡。非常适合用于低电压、高频整流,或在对系统尺寸和重量要求严苛的表面贴装应用中作为续流和极性保护二极管。该封装是无引脚34 MELF风格封装的替代方案。
- 收藏
- 对比
- ¥0.3537
- ¥0.2786
- ¥0.24
- ¥0.2082
- ¥0.1971
- ¥0.1896
- 现货
- 177K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 8A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 80V
- 耗散功率(Pd)
- 20W
描述该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。
- 收藏
- 对比
- ¥2.2591
- ¥1.7584
- ¥1.514
- ¥1.2959
- ¥1.236
- ¥1.2
- 现货
- 25K+
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 发光颜色
- 绿色
- 正向压降(Vf)
- 2.5V~3.6V
- 功率
- 72mW
- 正向电流
- 20mA
描述本产品主要作为信号指示及照明的电子元件广泛应用于各类使用表面贴装结构的电子产品中,如家用电器的开关指示灯、手机键盘灯、汽车仪表盘指示灯等。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1359
- ¥0.1062
- ¥0.093
- ¥0.0708
- ¥0.0669
- ¥0.0642
- 现货
- 595K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 发光颜色
- 翠绿色
- 正向压降(Vf)
- 2.6V~3.6V
- 功率
- 72mW
- 正向电流
- 20mA
描述作为信号指示及照明的电子元件,广泛应用于各类使用表面贴装结构的电子产品中,如家用电器的开关指示灯、手机键盘灯、汽车仪表盘指示灯等。
- 收藏
- 对比
- ¥0.275
- ¥0.2404
- ¥0.2225
- ¥0.1428
- ¥0.1377
- ¥0.1342
- 现货
- 395K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 170mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 12Ω@10V
描述N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中,“XTSA1”那是原厂的内部型号。
- 收藏
- 对比
- ¥0.665
- ¥0.5438
- ¥0.4814
- ¥0.4301
- ¥0.4122
- ¥0.4
- 现货
- 93K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 输出类型
- 可调
- 输出电压
- 2.5V~36V
- 输出电流
- 100mA
- 精度
- ±0.4%
描述AZ431 - A是一款三端可调并联稳压器,在整个工作范围内具有热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。AZ431 - A的输出电压可设置为VREF(2.5V)至相应最大阴极电压(36V)之间的任意值
- 收藏
- 对比
- ¥0.2731
- ¥0.2255
- ¥0.201
- ¥0.1809
- ¥0.1738
- ¥0.1691
- 现货
- 936K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 极数
- 2
- 直流击穿电压(Vdc)
- 75V
- 精度
- ±30%
- 脉冲放电电流
- 3kA
描述气体放电管(GDT)使用封装在陶瓷管中的稀有气体,为电压尖峰提供替代电路路径。陶瓷外壳和镍连接器可承受高负载。该产品浪涌额定值为2kA,8/20μs。采用方形表面贴装封装,有助于简化PCB上的拾放过程。该产品非常适合宽带设备应用。其低关态电容与高带宽应用兼容,并且当GDT两端的电压变化时,该电容负载值不会改变。专门设计用于在表面贴装组装应用中保护电气、多媒体和通信设备免受过电压瞬变的影响。
- 收藏
- 对比
- ¥1.460435
- ¥1.14817
- ¥0.995695
- ¥0.85975
- ¥0.703285
- ¥0.680865
- 现货
- 72K+
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 发光颜色
- 白色
- 正向压降(Vf)
- 2.6V~3.6V
- 功率
- 72mW
- 正向电流
- 20mA
描述本产品主要作为信号指示及照明的电子元件广泛应用于各类使用表面贴装结构的电子产品中,如家用电器的开关指示灯、手机键盘灯、汽车仪表盘指示灯等。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1099
- ¥0.0856
- ¥0.0748
- ¥0.057
- ¥0.0537
- ¥0.0516
- 现货
- 825K+
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 工作电压(DC)
- 45V
- 通道数
- 1
- 输出电流
- 20mA
- 调光
- PWM
描述线性恒流调节器(CCR)是一种简单、经济且耐用的设备,旨在为调节LED中的电流提供经济高效的解决方案。CCR基于自偏置晶体管(SBT)技术,可在较宽的电压范围内调节电流。它设计有负温度系数,以保护LED在极端电压和电流下免受热失控的影响。CCR可立即开启,仅需0.5V的阳极-阴极电压(Vak)即可达到调节电流的25%。它无需外部组件,可设计为高端或低端调节器。高阳极-阴极电压额定值可承受汽车、工业和商业标识应用中常见的浪涌。CCR采用热性能良好的封装,符合AEC-Q101标准,并获得UL94-V0认证。
- 收藏
- 对比
- ¥0.7489
- ¥0.6077
- ¥0.5371
- ¥0.4842
- ¥0.3596
- ¥0.3384
- 现货
- 26K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交90单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 20V
- 反向电流(Ir)
- 5uA@15V
- 稳压值(范围)
- 19V~21.2V
描述特性:低齐纳阻抗。 功率耗散为 1000mW。 高稳定性和高可靠性。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。应用:齐纳二极管通常用作稳压电源中的参考电压源或过压保护电路中的保护二极管
- 收藏
- 对比
- ¥0.1921
- ¥0.1701
- ¥0.1578
- ¥0.147
- ¥0.1407
- ¥0.1372
- 现货
- 18K+
5000个/圆盘
总额¥0
近期成交98单
- 类型
- DC-DC
- 工作电压(DC)
- 2.5V~16V
- 开关频率
- 1.2MHz
- 通道数
- 1
描述是一款基于电感的DC/DC转换器,用于驱动多达八个串联的白色LED进行背光。仅需一个反馈电阻即可控制LED电流并获得所需亮度。采用了恒定频率1.2MHz的PWM控制方案,这意味着可以使用微小的外部组件。具体而言,典型应用中使用1mm高的电感器和0.22μF输出电容器就足够了。此外,升压电路中的肖特基二极管集成在该芯片上。还提供了一个禁用引脚,便于在不同系统中使用。具备输出过压保护功能,当任何LED损坏或出现其他异常情况时,输出电压将被钳位。采用标准SOT-23-6和TSOT-23-6封装。
- 收藏
- 对比
- ¥1.0473
- ¥0.8456
- ¥0.7471
- ¥0.6593
- ¥0.6352
- ¥0.6207
- 现货
- 41K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 120mΩ@4.5V;145mΩ@2.5V
描述这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
- 收藏
- 对比
- ¥0.0845
- ¥0.0687
- ¥0.0508
- ¥0.0455
- ¥0.0409
- ¥0.0385
- 现货
- 256K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 数量
- 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 31.5mΩ@2.5V
描述特性:沟槽功率技术。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行优化。应用:DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
- 收藏
- 对比
- ¥0.3643
- ¥0.2742
- ¥0.2291
- ¥0.2186
- ¥0.1916
- ¥0.178
- 现货
- 78K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 发光颜色
- 红色
- 正向压降(Vf)
- 2V
- 功率
- 50mW
- 正向电流
- 20mA
描述特性:符合ROHS标准。 超薄(0.35H mm)芯片LED。 超亮AlInGaP芯片LED。 封装在7英寸直径卷轴上的8mm胶带中。 EIA标准封装。 与IC兼容。 与自动贴装设备兼容。 与红外回流焊工艺兼容
- 收藏
- 对比
- ¥0.096
- ¥0.0745
- ¥0.0649
- ¥0.0559
- ¥0.0531
- ¥0.0511
- 现货
- 818K+
5000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 18V
- 反向电流(Ir)
- 5uA@5V
- 稳压值(范围)
- 16.8V~19.2V
描述特性:低齐纳阻抗。 功率耗散:1000mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值温度为260°C。应用:稳压电源中的参考电压源。 过压保护电路中的保护二极管
- 收藏
- 对比
- ¥0.2413
- ¥0.1927
- ¥0.1657
- ¥0.1495
- ¥0.1354
- ¥0.1278
- 现货
- 56K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交35单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 11V
- 反向电流(Ir)
- 100nA@8V
- 稳压值(范围)
- 10.4V~11.6V
描述特性:低齐纳阻抗。 功率耗散:150mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值为260°C。应用:齐纳二极管通常用作稳压电源中的参考电压源,或用作过压保护电路中的保护二极管。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1137
- ¥0.0876
- ¥0.0731
- ¥0.0645
- ¥0.0569
- ¥0.0529
- 现货
- 13K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交13单
- 二极管配置
- 1个独立式
- 稳压值(标称值)
- 20V
- 反向电流(Ir)
- 5uA@15V
- 稳压值(范围)
- 19V~21.2V
描述特性:低齐纳阻抗。 功率耗散:1000mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值温度为260°C。应用:稳压电源中的参考电压源。 过压保护电路中的保护二极管
- 收藏
- 对比
- ¥0.1637
- ¥0.1421
- ¥0.1301
- ¥0.123
- ¥0.1167
- ¥0.1134
- 现货
- 16K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交46单
- 输出类型
- 可调
- 输出电压
- 1.24V~18V
- 输出电流
- 100mA
- 精度
- ±0.5%
描述AZ431L系列集成电路(IC)是低压三端可调稳压器,在整个工作范围内能保证热稳定性。这些IC具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器、主板及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。通过两个外部电阻,输出电压可设置在1.24V至18V之间的任意值
- 收藏
- 对比
- ¥0.4786
- ¥0.3992
- ¥0.3584
- ¥0.2934
- ¥0.2817
- ¥0.2738
- 现货
- 32K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 700mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 370mΩ@25V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ¥0.2149
- ¥0.1717
- ¥0.1477
- ¥0.1333
- ¥0.1078
- ¥0.101
- 现货
- 64K+
10000个/圆盘
总额¥0
近期成交46单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 800mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 300mΩ@2.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ¥0.232
- ¥0.1805
- ¥0.1519
- ¥0.1348
- ¥0.1199
- ¥0.1119
- 现货
- 177K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 二极管配置
- 1个独立式
- 正向压降(Vf)
- 400mV@20mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 30V
- 整流电流
- 200mA
描述这款肖特基二极管,正向导通电压VF低,确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1512
- ¥0.1215
- ¥0.105
- ¥0.0951
- ¥0.0789
- ¥0.0743
- 现货
- 45K+
8000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 39mΩ@4.5V;58mΩ@2.5V
描述这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 收藏
- 对比
- ¥0.5229
- ¥0.4081
- ¥0.3507
- ¥0.3076
- ¥0.2607
- ¥0.2434
- 现货
- 78K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 二极管配置
- 独立式
- 耗散功率(Pd)
- 500mW
- 整流电流
- 200mA
- 直流反向耐压(Vr)
- 75V
描述单颗高速开关二极管,采用平面技术制造,封装在小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件(SMD)封装中。
- 收藏
- 对比
- ¥0.1706
- ¥0.1373
- ¥0.1187
- ¥0.1063
- ¥0.0966
- ¥0.0915
- 现货
- 71K+
2500个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+
- 发光颜色
- 翠绿色
- 正向压降(Vf)
- 2.6V~3.6V
- 功率
- 72mW
- 正向电流
- 20mA
描述本产品主要作为信号指示及照明的电子元件广泛应用于各类使用表面贴装结构的电子产品中,如家用电器的开关指示灯、手机键盘灯、汽车仪表盘指示灯等。
- 收藏
- 对比
- ¥0.2263
- ¥0.1896
- ¥0.1692
- ¥0.1311
- ¥0.1205
- ¥0.1148
- 现货
- 193K+
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交100单+































