- 类目
- 圆形(线缆)连接器
- 场效应管(MOSFET)
- 连接器外壳
- 稳压二极管
- 功率电感
- 监控和复位芯片
- 线性稳压器(LDO)
- 运算放大器
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 螺钉式接线端子
- 数字晶体管
- DC-DC电源芯片
- 排针
- 插拔式接线端子
- 单片机(MCU/MPU/SOC)
- AC-DC电源模块
- 聚丙烯膜电容(CBB)
- 有源晶振
- 排母
- 连接器附件
多选 - 品牌
- VBsemi(微碧半导体)
- PEI-Genesis
- Glenair
- Amphenol
- TE Connectivity(泰科电子)
- MICROCHIP(美国微芯)
- VISHAY(威世)
- ITT CANNON
- ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
- ABLIC(艾普凌科)
- Conesys
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- Conta-Clip, Inc.
- onsemi(安森美)
- DIODES(美台)
- TI(德州仪器)
- ADI(亚德诺)
- STANLEY(史丹利)
- SAMTEC
- STE(松田)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOT-23-5
- SOT-23-6
- 插件,P=2.54mm
- SMA(DO-214AC)
- DO-41
- 插件,P=5mm
- SOP-8
- 插件,62x45mm
- SMD2520-4P
- 插件,P=10mm
- 插件
- MELF(DO-213AB)
- 插件,P=5.08mm
- 插件,P=15mm
- 插件,23x13mm
- 插件,P=7.5mm
- 0402
- DFN-8(5x6)
- P=2.5mm
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 收藏
- 对比
- ￥13.43
- 现货
- 10
40个/盒
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.39178
- ￥0.3097
- ￥0.26866
- ￥0.23788
- ￥0.213275
- ￥0.200925
- 现货
- 100
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.39178
- ￥0.3097
- ￥0.26866
- ￥0.23788
- ￥0.213275
- ￥0.200925
- 现货
- 50
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.39178
- ￥0.3097
- ￥0.26866
- ￥0.23788
- ￥0.213275
- ￥0.200925
- 现货
- 50
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.39178
- ￥0.3097
- ￥0.26866
- ￥0.23788
- ￥0.213275
- ￥0.200925
- 现货
- 50
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V；28mΩ@2.5V；39mΩ@1.8V
描述SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=0.45~1V；
- 收藏
- 对比
- ￥0.416005
- ￥0.333925
- ￥0.292885
- ￥0.23788
- ￥0.213275
- ￥0.200925
- 现货
- 20
3000个/圆盘
总额￥0
- 输出类型
- 固定
- 工作电压
- 5.5V
- 输出电压
- 4.2V
- 输出电流
- 250mA
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥1.5509
- ￥1.158
- ￥0.9897
- ￥0.7796
3000个/圆盘
总额￥0
- 芯片类型
- 简单复位/加电复位
- 输出类型
- 开漏
- 复位有效电平
- 低电平有效
- 阈值电压
- 2.2V
描述3引脚、超低电压、低功耗、微处理器复位电路、业内首款性能优异的复位IC，用于1.8V电源，SOT封装
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥25.2396
- 库存
- 25K
- 增量
- 2500
- 最小包装
- 2500个
总额￥0
- 芯片类型
- 简单复位/加电复位
- 输出类型
- 开漏
- 复位有效电平
- 低电平有效
- 阈值电压
- 2.2V
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥19.61
- ￥7.59
- ￥7.32
- ￥7.19
518个/袋
总额￥0
- 芯片类型
- 电压检测器
- 工作电压
- 800mV~10V
- 复位有效电平
- 低电平有效
- 受监控电压数
- 1
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥1.5741
- ￥0.6092
- ￥0.5878
- ￥0.5772
3000个/圆盘
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 170mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6Ω@10V；10Ω@4.5V
描述特性：VDS = 100V。 I0 = 0.17A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 便携式设备的负载开关。应用：电池保护。 负载开关
- 收藏
- 对比
- ￥0.1146
- ￥0.0962
- ￥0.0743
- ￥0.0681
- ￥0.0628
- ￥0.06
- 现货
- 78K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 50mΩ@10V
描述特性：VDS = -30V。 ID = -4.2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 75mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 90mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。应用：电池保护。 负载开关
- 收藏
- 对比
- ￥0.2544
- ￥0.2126
- ￥0.1916
- ￥0.1759
- ￥0.1634
- ￥0.1571
- 现货
- 44K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45.5mΩ@10V
描述特性：VDS = -30V。I0 = -4.4A。RDS(on)@VGS = -10V < 55mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 68mΩ。RDS(on)@VGS = -2.5V < 96mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。应用：电池保护。负载开关
- 收藏
- 对比
- ￥0.18603
- ￥0.1449
- ￥0.12213
- ￥0.10836
- ￥0.09648
- ￥0.09009
- 现货
- 178K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 1.4W
- 收藏
- 对比
- ￥0.361
- ￥0.2875
- ￥0.2508
- 现货
- 2940
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交21单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 52mΩ@4.5V
描述小体积
- 收藏
- 对比
- ￥0.1443
- ￥0.1097
- ￥0.0943
- ￥0.0783
- ￥0.0737
- ￥0.0706
- 现货
- 322K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 3.8V~32V
- 输出电压
- 5V
- 输出电流
- 2A
描述AP63200/AP63201/AP63203/AP63205是一款2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V，并且完全集成了一个125mΩ的高端功率MOSFET和一个68mΩ的低端功率MOSFET，以提供高效的降压式DC/DC转换。由于采用峰值电流模式控制以及集成补偿网络，AP63200/AP63201/AP63203/AP63205器件通过减少外部元件数量，使用起来十分便捷。
- 收藏
- 对比
- ￥2.95
- ￥2.4
- ￥2.13
- ￥1.9
- ￥1.76
- ￥1.73
- 现货
- 65K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 3.8V~32V
- 输出电压
- 3.3V
- 输出电流
- 2A
描述AP63200/AP63201/AP63203/AP63205是一款2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V，并且完全集成了一个125mΩ的高端功率MOSFET和一个68mΩ的低端功率MOSFET，以提供高效的降压式DC/DC转换。由于采用峰值电流模式控制以及集成补偿网络，AP63200/AP63201/AP63203/AP63205器件通过减少外部元件数量，使用起来十分便捷。
- 收藏
- 对比
- ￥2.94
- ￥2.38
- ￥2.1
- ￥1.86
- ￥1.72
- ￥1.68
- 现货
- 63K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@4.5V
描述小体积
- 收藏
- 对比
- ￥0.1431
- ￥0.1118
- ￥0.0944
- ￥0.0828
- ￥0.0737
- ￥0.0689
- 现货
- 657K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 放大器数
- 单路
- 单电源电压
- 2.7V~5V
- 双电源(Vee~Vcc)
- -2.5V~-1.35V；1.35V~2.5V
- 输入失调电压(Vos)
- 1uV
描述零漂移、单电源RRIO运算放大器
- 收藏
- 对比
- ￥17.21
- ￥14.59
- ￥12.94
- ￥11.26
- ￥10.49
- ￥10.16
- 现货
- 11K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 极性
- 双向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 3.3V
- 钳位电压
- 10V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 22A
描述VRWM:3.3V, IPP:20A, CJ:17pF
- 收藏
- 对比
- ￥0.3386
- ￥0.2657
- ￥0.2293
- ￥0.1886
- ￥0.1667
- ￥0.1558
- 现货
- 60K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 放大器数
- 1
- 最大电源宽度(Vdd-Vss)
- 5.5V
- 轨到轨
- 轨到轨输入,轨到轨输出
- 增益带宽积(GBW)
- 2.5MHz
描述这款放大器具有超低失调、超低漂移和超低偏置电流。AD8628/AD8629/AD8630 是宽带宽自动稳零放大器，具有轨到轨输入和输出摆幅以及低噪声特性。其工作特性在 2 至……（原文未完整，此处按原文截断）
- 收藏
- 对比
- ￥2.2041
- ￥1.7214
- ￥1.5146
- ￥1.2565
- ￥1.1416
- ￥1.0726
- 现货
- 11K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交77单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@4.5V
描述先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计，实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装
- 收藏
- 对比
- ￥0.3657
- ￥0.2985
- ￥0.2649
- ￥0.2063
- ￥0.1861
- ￥0.176
- 现货
- 29K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 23mΩ@10V
描述1个N沟道 耐压:60V 电流:30A适用于电源开关和信号控制
- 收藏
- 对比
- ￥0.51831
- ￥0.41031
- ￥0.35631
- ￥0.31581
- ￥0.28341
- ￥0.26712
- 现货
- 29K+
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交83单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@4.5V
描述漏源耐压：30V 漏极电流：5.8A 大体积 N MOS
- 收藏
- 对比
- ￥0.165965
- ￥0.127965
- ￥0.106875
- ￥0.09424
- ￥0.083315
- ￥0.077425
- 现货
- 287K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 放大器数
- 单路
- 单电源电压
- 1.8V~5.5V
- 输入失调电压(Vos)
- 9uV
- 输入失调电压温漂(Vos TC)
- 500nV/℃
描述LMP7731 单通道 2.9nV/sqrt(Hz) 低噪声精密 RRIO 放大器
- 收藏
- 对比
- ￥9.43
- ￥7.93
- ￥7.11
- ￥6.18
- ￥5.77
- ￥5.59
- 现货
- 9798
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交15单
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 4.5V~40V
- 输出电流
- 1A
- 开关频率
- 1.6MHz~2.4MHz
描述SY8301是一款高效率同步降压DC/DC转换器,能够提供1A负载电流。输入电压范围为4.5V至40V,集成主开关和同步开关,以降低传导损耗。采用峰值电流控制方案,开关频率为2MHz,具有低输出电压纹波和小型外部电感和电容器。具备超低静态电流和内部软启动功能,以限制启动时的浪涌电流。提供hic-cup模式输出短路保护和热关断及自动恢复功能。封装为SOT23-6。
- 收藏
- 对比
- ￥1.5883
- ￥1.2374
- ￥1.0661
- ￥0.9132
- ￥0.8713
- ￥0.8461
- 现货
- 32K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 240mΩ@10V
描述N沟道 100V 2A，210毫欧，，比BSS123电流大。
- 收藏
- 对比
- ￥0.3809
- ￥0.2945
- ￥0.2513
- ￥0.2189
- ￥0.193
- ￥0.18
- 现货
- 74K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 功能类型
- 降压型
- 工作电压
- 3.8V~32V
- 输出电压
- 800mV~31V
- 输出电流
- 3A
描述AP63300/AP63301是一款3A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V。该器件完全集成了一个75mΩ的高端功率MOSFET和一个40mΩ的低端功率MOSFET，可实现高效的降压式DC - DC转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP63300/AP63301器件最大限度地减少了外部元件数量，使用起来十分便捷
- 收藏
- 对比
- ￥3.23
- ￥2.62
- ￥2.36
- ￥2.04
- ￥1.83
- ￥1.74
- 现货
- 48K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 放大器数
- 单路
- 单电源电压
- 1.8V~5V
- 双电源(Vee~Vcc)
- 900mV~2.5V；-2.5V~-900mV
- 输入失调电压(Vos)
- 50uV
描述微功耗RRIO、低噪声、精密单通道CMOS运算放大器
- 收藏
- 对比
- ￥9.99
- ￥8.33
- ￥7.42
- ￥6.38
- ￥5.61
- ￥5.4
- 现货
- 5000
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 22mΩ@10V
描述特性：VDS 30 V。 RDS(ON) (VGS=10V) ≤22mΩ (Typ)。 RDS(ON) (VGS=4.5V) ≤27mΩ (Typ)。应用：接口开关。 负载开关
- 收藏
- 对比
- ￥0.1116
- ￥0.0967
- ￥0.0885
- ￥0.0835
- ￥0.0792
- ￥0.0769
- 现货
- 26K+
3000个/圆盘
总额￥0
近期成交100单+
