WGP15N65SE

品牌

Wild Goose(威谷)

封装

TO-220

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7541359

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

650V

连续漏极电流(Id)

15A

导通电阻(RDS(on))

450mΩ@10V

SMT扩展库

WGF15N60SE

品牌

Wild Goose(威谷)

封装

TO-220F

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7541350

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

600V

连续漏极电流(Id)

15A

导通电阻(RDS(on))

450mΩ@10V

SMT扩展库

WGF15N70SE

品牌

Wild Goose(威谷)

封装

TO-220F

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C7541393

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

700V

连续漏极电流(Id)

15A

导通电阻(RDS(on))

450mΩ@10V

SMT扩展库

XRRH3D16-150M

品牌

XR(祥如)

封装

SMD,3.8x3.8mm

类目

功率电感

编号

C5351550

电感值

15uH

精度

±20%

额定电流

450mA

直流电阻(DCR)

295mΩ

描述特性：超薄设计。磁屏蔽,低辐射。绕线铁氧体磁芯,尺寸紧凑。低磁芯损耗,适用于高频电源应用。大端子表面,利于 PCB 焊接。工作温度:-40°C至+125°C。应用：便携式通信设备。笔记本电脑、数码相机、液晶电视机

SMT扩展库

ASPI-0315S-150M-T

品牌

ABRACON

封装

SMD,3.8x3.8mm

类目

功率电感

编号

C187264

电感值

15uH

精度

±20%

额定电流

450mA

直流电阻(DCR)

295mΩ

描述特性：尺寸紧凑且非常薄:3.8×3.8×1.8mm。磁屏蔽,表面贴装电感器。大直流电流和低直流电阻。强大的温度偏差可防止回流焊期间损坏。应用：PDA的闪存。升压、降压转换器

RoHSSMT扩展库

AP2952AS8PRG

品牌

chipown(芯朋微电子)

封装

ESOP-8

类目

DC-DC电源芯片

编号

C130333

功能类型

降压型

工作电压

4.75V~18V

输出电压

925mV~15V

输出电流

2A

描述AP2952A是一款单片同步整流降压稳压器,集成了导通阻抗130mΩ的MOSFET,可在4.75V到18V的输入电压范围内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有良好的瞬态响应和单周期内的限流功能。该芯片具有可调的软启动时间和高效的转换效率。

RoHSSMT扩展库

AP2952S8RG

品牌

chipown(芯朋微电子)

封装

SOP-8

类目

DC-DC电源芯片

编号

C130332

功能类型

降压型

工作电压

4.75V~18V

输出电压

925mV~15V

输出电流

2A

描述AP2952是一款单片同步整流降压稳压器,集成了导通阻抗130mΩ的MOSFET,可在4.75V到18V的输入电压范围内提供2A的负载能力。电流模式控制使其具有良好的瞬态响应和单周期内的限流功能。输出电压可调范围为0.925V到15V,固定工作频率为450kHz,具有欠压保护功能。

RoHSSMT扩展库

WLSS316PZ0N150PB

品牌

Walsin(华新科)

封装

SMD,3.8x3.8mm

类目

功率电感

编号

C17299897

电感值

15uH

精度

±30%

额定电流

450mA

直流电阻(DCR)

295mΩ

RoHSSMT扩展库

APSC00040418150TS0

品牌

Chilisin(奇力新)

封装

1616

类目

功率电感

编号

C5588707

电感值

15uH

精度

±30%

饱和电流(Isat)

450mA

直流电阻(DCR)

295mΩ

RoHSSMT扩展库

BPDR00040416150M00

品牌

Chilisin(奇力新)

封装

SMD,3.8x3.8mm

类目

功率电感

编号

C17486690

电感值

15uH

精度

±20%

额定电流

450mA

饱和电流(Isat)

450mA

RoHSSMT扩展库

SCRH3D16-150

品牌

belfuse

封装

SMD,4.1x4.1mm

类目

功率电感

编号

C17376064

电感值

15uH

精度

±30%

额定电流

920mA

饱和电流(Isat)

450mA

RoHSSMT扩展库

CTCDRH3D16F-150N

品牌

Central(中环)

封装

SMD,4.1x4.1mm

类目

功率电感

编号

C17351140

电感值

15uH

精度

±30%

额定电流

450mA

直流电阻(DCR)

295mΩ

RoHSSMT扩展库

IXGX120N60A3

品牌

Littelfuse/IXYS

封装

TO-247-3

类目

IGBT管/模块

编号

C17403387

IGBT类型

PT(穿通型)

集射极击穿电压(Vces)

600V

集电极电流(Ic)

200A

耗散功率(Pd)

780W

RoHSSMT扩展库

PCS3D16-150T-RC

品牌

Allied Components International

封装

SMD,4x4mm

类目

功率电感

编号

C17690572

电感值

15uH

精度

±30%

额定电流

450mA

直流电阻(DCR)

295mΩ

RoHSSMT扩展库

BAT43W

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOD-123

类目

肖特基二极管

编号

C22466358

二极管配置

独立式

正向压降(Vf)

450mV@15mA

直流反向耐压(Vr)

30V

整流电流

200mA

描述特性：VR = 30V。 IF(AV) = 0.2A。 低正向压降。 快速开关速度。 符合J-STD-020标准的MSL 1级，LF最大峰值为260°C。应用：用于低压高频电路信号

RoHSSMT扩展库

H12VNT2UA

品牌

R+O(宏嘉诚)

封装

SOT-23

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C42413881

极性

单向

反向截止电压(Vrwm)

12V

钳位电压

30V

峰值脉冲电流(Ipp)

15A@8/20us

描述特性：低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD Air): ±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD Contact): ±30 kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning 8/20 μs): 15 A。应用：手机及配件。 个人数字助理

RoHSSMT扩展库

BC847BPN,115

品牌

Nexperia(安世)

封装

TSSOP-6(SOT-363)

类目

三极管(BJT)

编号

C8655

晶体管类型

NPN+PNP

集电极电流(Ic)

100mA

集射极击穿电压(Vceo)

45V

耗散功率(Pd)

220mW

描述NPN/PNP通用晶体管对，采用非常小的SOT363 (SC-88)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

RoHSSMT扩展库

ESD3V3D3

品牌

ElecSuper(静芯)

封装

SOD-323

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C5199164

极性

单向

反向截止电压(Vrwm)

3.3V

钳位电压

15V

峰值脉冲电流(Ipp)

25A

描述极性:单向 单路保护 反向关断电压（典型值）:3.3V(Max) 击穿电压（最小值）:4.5V 钳位电压:8V 峰值脉冲电流:25A (8/20us)

RoHSSMT扩展库

SN74LVC1G08DCKR(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

SC-70-5

类目

逻辑门

编号

C2983745

逻辑类型

与门

通道数

1

工作电压

1.65V~5.5V

静态电流(Iq)

10uA

描述是一款2输入与门集成电路，可实现Y = A · B和Y = (A + B)(overline)的数学逻辑运算。采用先进CMOS工艺设计，具有低功耗和高输出驱动能力的工作特性。芯片在电源电压VCC为1.65V至5.5V之间时能正常工作，且有多种小型封装形式。可广泛应用于高端精密仪器、小型化低功耗手持设备、人工智能等领域。

RoHSSMT扩展库

MIC29302WU(UMW)

品牌

UMW(友台半导体)

封装

TO-263-5

类目

线性稳压器(LDO)

编号

C2995533

输出类型

可调

工作电压

20V

输出电压

1.25V~15V

输出电流

3A

描述是一款高电流、低成本、低压差稳压器，采用专有 Super beta PNP 工艺和 PNP 传输元件。3A LDO 稳压器的压差电压为 450mV（满载），接地电流非常低。专为高电流负载设计，也适用于低电流、对低压差要求严格的系统，其压差电压和接地电流值是重要特性。

RoHSSMT扩展库

SD05C

品牌

DOWO(东沃)

封装

SOD-323

类目

静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号

C1884584

反向截止电压(Vrwm)

5V

钳位电压

15V

峰值脉冲电流(Ipp)

30A

峰值脉冲功率(Ppp)

450W@8/20us

描述SD05C旨在采用单片硅技术，替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻，以提供快速响应时间和超低ESD钳位电压，使其成为保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SD05C符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±15 kV空气放电和±8 kV接触放电。SD05C采用无铅SOD - 323封装。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。

RoHSSMT扩展库

SI2308

品牌

HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装

SOT-23

类目

场效应管(MOSFET)

编号

C5337194

数量

1个N沟道

漏源电压(Vdss)

60V

连续漏极电流(Id)

2.5A

导通电阻(RDS(on))

85mΩ@10V

描述此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，提供高达3A的连续电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制。

SMT扩展库

HCPL-3120-500E

品牌

Broadcom(博通)

封装

SOP-8-2.54mm

类目

逻辑输出光耦

编号

C36986

输入类型

DC

工作电压

15V~30V

隔离电压(Vrms)

3.75kV

CMTI(kV/us)

35kV/us

描述IGBT栅极驱动IC，最大峰值输出电流2.5A

RoHSSMT扩展库

LQG15HS15NJ02D

品牌

muRata(村田)

封装

0402

类目

贴片电感

编号

C86059

电感值

15nH

精度

±5%

额定电流

450mA

直流电阻(DCR)

320mΩ

RoHSSMT扩展库