2SA1015_2SA1015采购信息-立创电子元器件商城

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- 三极管(BJT)
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2SA1015

品牌: TWGMC(迪嘉)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C727147

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：高电压和高电流。出色的hFE线性度。与C1815互补

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2SA1015

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C328619

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述TO-92 塑封封装 PNP 半导体三极管。

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20+￥0.1205
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9000+￥0.0801
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近期成交34单

2SA1015

品牌: UMW(友台半导体)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C545569

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：高电压和高电流。出色的hFE线性度。与C1815互补

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2SA1015

品牌: Hottech(合科泰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C181170

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：高电流和高电压。出色的hFE线性度。低噪声。表面贴装器件。与2SC1815互补

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近期成交38单

2SA1015(RANGE:200-400)

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C168617

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述特性：功率耗散

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20+￥0.1577
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近期成交26单

ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）

2SA1015

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2914412

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：高电压和高电流。出色的hFE线性度。低噪声。与2SC1815互补

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100+￥0.0343
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2SA1015-TO-92

品牌: DDF(鼎德丰)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C50229636

描述晶体管类型：PNP。集电极电流ICM:-150MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:-60V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:-50V 直流电流增益HFE:250-350

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50+￥0.03082
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2SA1015

品牌: GOODWORK(固得沃克)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C53086333

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

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50+￥0.052345
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30000+￥0.02774
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2SA1015

品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5189099

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述该款SOT-23封装PNP型三极管，具备50V高耐压VCEO及0.15A集电极电流，放大倍数在130至400范围内，适用于中高压、小电流环境下的精密放大与开关应用，是电子设备和电路设计的理想半导体组件。

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SMT补贴嘉立创库存3362

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20+￥0.0539
200+￥0.0421
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3000+￥0.0299
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2SA1015

品牌: YONGYUTAI(永裕泰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5372729

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：与2SC1815互补

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51000+￥0.015928
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近期成交9单

hfe:200-400 ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）

2SA1015-MS

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5120741

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：高电压和高电流。出色的hFE线性度。低噪声。与2SC1815-MS互补

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SMT补贴嘉立创库存208

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50+￥0.083315
500+￥0.06536
3000+￥0.055385
6000+￥0.0494
24000+￥0.044175
51000+￥0.04142

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近期成交4单

2SA1015-B

品牌: Slkor(萨科微)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C19632456

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述三极管

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SMT补贴嘉立创库存3

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50+￥0.0782
500+￥0.0609
2000+￥0.0513
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25000+￥0.0406
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近期成交1单

2SA1015-H

品牌: YFW(佑风微)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C42429507

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

RoHS

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50+￥0.08493
500+￥0.06536
3000+￥0.05453
6000+￥0.04807
24000+￥0.042465
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近期成交16单

2SA1015-SOT-23

品牌: DDF(鼎德丰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C50229637

描述晶体管类型：PNP。集电极电流ICM:-150MA 集电极-基极击穿电压BVCBO:-60V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:-50V 直流电流增益HFE:250-350 丝印：BA

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2750

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9.2折

50+￥0.047932
500+￥0.037168
3000+￥0.03128
6000+￥0.027692
24000+￥0.024564
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现货: 2750

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近期成交2单

2SA1015

品牌: HT(金誉)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C239022

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：高电压和高电流。出色的hFE线性度。低噪声。与2SC1815互补

RoHS

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50+￥0.0877
500+￥0.0688
3000+￥0.053
6000+￥0.0467
24000+￥0.0413
51000+￥0.0383

需订货

3000个/圆盘

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2SA1015-GR

品牌: YFW(佑风微)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C22391908

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述特性：高电压和高电流：VCEO = 50V（最小值），IC = 150mA（最大值）。与2SC1815互补。应用：音频放大器。低噪声放大器

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存109

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9.5折

20+￥0.218215
200+￥0.169955
1000+￥0.143165
2000+￥0.12711
10000+￥0.113145
20000+￥0.105735

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现货: 100

1000个/袋

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近期成交1单

2SA1015-GR

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C2844068

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述TO-92 塑封封装 PNP 半导体三极管。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3082

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20+￥0.1731
200+￥0.1377
600+￥0.118
3000+￥0.1062

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现货: 3080

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近期成交5单

2SA1015-TA(RANGE:120-240)

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C160132

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述特性：功率耗散

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存23

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20+￥0.181
200+￥0.141
600+￥0.1188

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现货: 20

2000个/盒

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近期成交3单

GR(200-400) SOT-23塑封封装PNP半导体三极管 PNP 电流:150mA 电压:50V

2SA1015M

品牌: BLUE ROCKET(蓝箭)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C328617

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 300mW

描述SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3458

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对比

50+￥0.0921
500+￥0.0718
3000+￥0.0605

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现货: 3450

3000个/圆盘

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近期成交1单

2SA1015G

品牌: ST(先科)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C118544

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述适用于开关和音频放大器应用。根据其直流电流增益，该晶体管细分为 O、Y 和 G、L 三组。

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11

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对比

20+￥0.1364
200+￥0.1069
1000+￥0.0842
2000+￥0.0744
10000+￥0.0659
20000+￥0.0613

需订货

1000个/袋

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2SA1015

品牌: GME(银河微电)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C21882527

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述特性：与2SC1815互补。优秀的hFE线性度。高电压和高电流。低噪声。集电极-发射极电压BVCEO =-50V。应用：低频、低噪声放大器

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2240

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对比

20+￥0.1825
200+￥0.1422
600+￥0.1198

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现货: 2240

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交1单

2SA1015L-Y-T92-B

品牌: UTC(友顺)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C5310428

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述特性：集电极-发射极电压：BVCEP =-50V。集电极电流高达150mA。高hFE线性度。与UTC 2SC1815互补

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存28

私有库下单最高享92折

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对比

20+￥0.2101
200+￥0.1615
600+￥0.1345

现货最快4小时发货

现货: 20

2000个/盒

个

总额￥0

近期成交11单

2SA1015L-GR-T92-B

品牌: UTC(友顺)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C73304

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述特性：集电极-发射极电压：BV_CEP = -50V。集电极电流高达150mA。高hFE线性度。与UTC 2SC1815互补

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5

私有库下单最高享92折

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对比

20+￥0.2201
200+￥0.1769
600+￥0.1529
2000+￥0.1384
10000+￥0.126
20000+￥0.1192

需订货

2000个/盒

个

总额￥0

2SA1015(RANGE:120-240)

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C168614

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

RoHSSMT扩展库

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对比

20+￥0.1609
200+￥0.1269
1000+￥0.108
2000+￥0.0966
10000+￥0.0868
20000+￥0.0815

需订货

1000个/袋

个

总额￥0

近期成交1单

2SA1015-Y(TE2,F,T)

品牌: TOSHIBA(东芝)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C5156530

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对比

3000+￥0.396
6000+￥0.3894
12000+￥0.3795
24000+￥0.363

订货3-5个工作日

库存: 6000

增量: 3000

最小包装: 3000个

个

总额￥0

2SA1015-TA(RANGE:200-400)

品牌: CJ(江苏长电/长晶)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C2084

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述特性：功率耗散

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对比

2SC1815

品牌: Hottech(合科泰)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C181171

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：高电流和高电压。出色的hFE线性度。低噪声。表面贴装器件。与2SA1015互补

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14K+

私有库下单最高享92折

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对比

9.5折

50+￥0.05776
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2SC1815

品牌: MSKSEMI(美森科)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2914411

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：高电流和高电压。出色的hFE线性度。低噪声。表面贴装器件。与2SA1015互补

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近期成交2单

2SC1815H

品牌: LGE(鲁光)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C713673

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述特性：高电压和高电流：VCEO = 50V(Min)，IC = 150mA (Max)。出色的hFE线性度：hFE(2) = 100 (Typ) 在VCE = 6V，IC = 150mA；hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(Typ)。低噪声。与2SA1015互补。应用：音频通用放大器应用

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2SC1815-GR

品牌: YFW(佑风微)

封装: TO-92

类目: 三极管(BJT)

编号: C22459218

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 150mA

集射极击穿电压(Vceo): 50V

耗散功率(Pd): 400mW

描述特性：高电压和高电流：VCEO = 50V（最小值），IC = 150mA（最大值）。与2SA1015互补。应用：音频频率放大器应用。低噪声放大器应用

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