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NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383Y-2AF
品牌
FOSAN(富捷/富信)
封装
SOT-89-3L
类目
三极管(BJT)
编号
C48587094
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 1A,集射极击穿电压 160V耗散功率(Pd);500mW

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2SC2383Y-2AF
品牌
FOSAN(富捷/富信)
封装
SOT-89-3L
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NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383
品牌
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C41375137
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:低饱和电压。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃

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hfe=160~320 NPN 电流:1A 电压:160V
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力

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O档100-200 NPN 电流:1A 电压:160V
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
900mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。大连续集电极电流能力。与2SA1013互补

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近期成交18单

O(100-200) NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383-O
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
TO-92LM
类目
三极管(BJT)
编号
C358548
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
900mW

描述TO-92LM 塑封封装 NPN 半导体三极管。

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近期成交14单

hFE:160-320 NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383(RANGE:160-320)
品牌
FUXINSEMI(富芯森美)
封装
SOT-89-3L
类目
三极管(BJT)
编号
C22365194
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力

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近期成交3单

NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383
品牌
Slkor(萨科微)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C5122632
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:优秀的hFE特性

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3000/圆盘

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近期成交4单

Y档 160-320 NPN 电流:1A 电压:160V
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
750mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力。 与2SA1013互补

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500/

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近期成交13单

NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383-JSM
品牌
JSMSEMI(杰盛微)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C30587315
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述适用于开关电源、音频放大器。

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1000/圆盘

总额0

近期成交3单

PNP 电流:1A 电压:160V
2SC2383Y
品牌
SHIKUES(时科)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C5344614
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力。 SOT-89

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近期成交6单

NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383-TA
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
TO-92MOD
类目
三极管(BJT)
编号
C2961246
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
900mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力。 与2SA1013互补

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近期成交2单

NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383-Y
品牌
YFW(佑风微)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C2988046
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
0.5mW

描述特性:小型扁平封装。 通用应用

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近期成交2单

耐压:160V 电流:1A NPN
2SC2383
品牌
GOODWORK(固得沃克)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C47435902
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述耐压:160V 电流:1A NPN (hFE):100@200mA,5V

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330

1000/圆盘

总额0

近期成交16单

2SC2383-TO-92L
2SC2383-TO-92L
品牌
DDF(鼎德丰)
封装
TO-92L
类目
三极管(BJT)
编号
C50229609

描述晶体管类型:NPN。 集电极电流ICM:1A 集电极-基极击穿电压BVCBO:160V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:160V 直流电流增益HFE:160-320

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近期成交10单

2SC2383-Y-MS
2SC2383-Y-MS
品牌
MSKSEMI(美森科)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C52287383

描述此款2SC2383-Y-MS是一款NPN型三极管,与2SA1013-Y-MS为互补对管,其集射极耐压160V,集电极电流达1A,耗散功率500mW,直流电流增益分档为160-320为Y档,该器件适配中小功率场景,也适用于各类功率放大电路与开关电路,凭借高耐压和稳定性能,还可用于消费电子、通信设备中对稳定性要求高的电路设计。

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1000/圆盘

总额0

Y档160-320 NPN 电流:1A 电压:160V
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
900mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力。 与2SA1013互补

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500/

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近期成交5单

三极管(BJT)
2SC2383-Y-2383Y
品牌
SY(顺烨)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C5367564
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力

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1000/圆盘

总额0

近期成交2单

100-200 NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383(RANGE:100-200)
品牌
CJ(江苏长电/长晶)
封装
SOT-89-3L
类目
三极管(BJT)
编号
C110610
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。大连续集电极电流能力

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SMT补贴嘉立创库存96
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1000/圆盘

总额0

近期成交3单

NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383-Y
品牌
YFW(佑风微)
封装
TO-92
类目
三极管(BJT)
编号
C19626399
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
700mW

描述特性:高击穿电压。 高直流电流增益。 与2SA1013互补

RoHS

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190

1000/

总额0

近期成交7单

NPN晶体管
2SC2383O
品牌
Huixin(慧芯)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C49435678
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW
直流电流增益(hFE)
100

描述晶体管类型:NPN,集电极电流:1A,集射极击穿电压:160V,耗散功率:500mW,适用于线性及开关应用。

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1000

1000/圆盘

总额0

2SC2383-SOT-89
2SC2383-SOT-89
品牌
DDF(鼎德丰)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C50229610

描述晶体管类型:NPN。 集电极电流ICM:1A 集电极-基极击穿电压BVCBO:160V 集电极-发射极击穿电压BVCEO:160V 直流电流增益HFE:160-320

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1000/圆盘

总额0

近期成交2单

NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383
品牌
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C5766307
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述这款NPN型三极管具有1A的电流承载能力,最高160V的工作电压,放大倍数在100至320之间,以及20MHz的频率响应。适用于多种电子设备中,用于信号放大和电路控制,确保稳定可靠的性能表现。

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近期成交1单

NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383-Y
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
TO-92LM
类目
三极管(BJT)
编号
C2844058
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
900mW

描述TO-92LM 塑封封装 NPN 半导体三极管。

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总额0

近期成交5单

NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383
品牌
DOWO(东沃)
封装
SOT-89-3L
类目
三极管(BJT)
编号
C49194793
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述hFE:160-320,丝印:2383

RoHSSMT扩展库

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近期成交1单

NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383T-Y
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C305430
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述SOT-89 塑封封装 NPN 半导体三极管。

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近期成交6单

2SC2383Y 2383
2SC2383Y
品牌
CBI(创基)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C5362138
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力

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NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383T
品牌
BLUE ROCKET(蓝箭)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C7429867
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
500mW

描述SOT-89 塑封封装 NPN 半导体三极管 VCEO高,可与 2SA1013T 互补(160-320)

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近期成交1单

2SC2383
2SC2383
品牌
luJing(鲁晶)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C53058848

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NPN 电流:1A 电压:160V
2SC2383
品牌
GME(银河微电)
封装
SOT-89
类目
三极管(BJT)
编号
C21882585
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
1W

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近期成交2单

O档100-200 NPN 电流:1A 电压:160V
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
1A
集射极击穿电压(Vceo)
160V
耗散功率(Pd)
750mW

描述特性:高电压:VCEO = 160V。 大连续集电极电流能力。 与2SA1013互补

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