- 类目
- 贴片电阻
- 稳压二极管
- 连接器外壳
- 圆形(线缆)连接器
- 钽电容
- 排阻
- AC-DC电源模块
- 三极管(BJT)
- 电机驱动模块
- 插拔式接线端子
- 功率继电器
- 贴片电容(MLCC)
- 螺钉式接线端子
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 场效应管(MOSFET)
- 电子线材
- 数字晶体管
- 晶体管输出光耦
- 直插瓷片电容
- 功率电感
多选 - 品牌
- VISHAY(威世)
- KOA
- Amphenol
- PANASONIC(松下)
- KEMET(基美)
- SIEMENS(德国西门子)
- TE Connectivity(泰科电子)
- BOURNS
- VOX Power
- FH(风华)
- EATON(伊顿)
- Alpha Wire
- MICROCHIP(美国微芯)
- SAMTEC
- ITT CANNON
- ROHM(罗姆)
- On-Shore Tech
- UNI-ROYAL(厚声)
- Slkor(萨科微)
- PEI-Genesis
多选 - 封装
- 0603
- 0805
- 0402
- SOD-323(SC-90)
- 插件
- SOT-23(TO-236)
- SOT-323(SC-70)
- 1005
- 插件,P=5mm
- 1206
- SOD-523(SC-79)
- SOT-363
- 插件,P=5.08mm
- 2917
- 插件,P=2.54mm
- 插件,P=7.5mm
- SOP-14
- 0606
- SMD3225-4P
- TO-220
多选 - 更多
- 包装
- 标签
- 认证信息
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 线圈电压
- 5V
- 触点形式
- 一组常开:1A(单刀单掷-常开)
- 引脚数
- 4
- 最大切换电压
- 277V@AC；28V@DC
描述特性：具有5A、8A、10A、16A,TV-5切换能力。 超小型、低功耗、防震、抗摔。 750度，850度灼热丝可选择，全环保型。 符合使用环境温度85℃、105℃
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥4.26
- ￥3.44
- ￥3.03
- ￥2.5
- ￥2.26
- ￥2.13
100个/盒
总额￥0
近期成交1单
- 线圈电压
- 5V
- 触点形式
- 一组常开:1A(单刀单掷-常开)
- 引脚数
- 4
- 最大切换电压
- 277V@AC；28V@DC
描述特性：具有5A、8A、10A、16A,TV-5切换能力。 超小型、低功耗、防震、抗摔。 750度，850度灼热丝可选择，全环保型。 符合使用环境温度85℃、105℃
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥3.52
- ￥2.78
- ￥2.47
- ￥1.97
- ￥1.8
- ￥1.69
100个/盒
总额￥0
近期成交1单
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 耗散功率(Pd)
- 1.25kW
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 400A
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2163.02
- ￥863.06
- ￥834.22
- ￥819.97
1个/袋
总额￥0
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 耗散功率(Pd)
- 940W
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 230A
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥1779.77
- ￥710.14
- ￥686.41
- ￥674.69
1个/袋
总额￥0
- 线圈电压
- 5V
- 触点容量(电阻负载)
- 16A@250VAC；16A@30VDC
- 最大切换电压
- 250V@AC；125V@DC
- 额定线圈功率
- 200mW
描述特性：超小型尺寸：23×16.1×10.2 (L×W×H)。 提供低功耗的高灵敏度型号 (200mW)
- 收藏
- 对比
- ￥7.42
- ￥6.17
- ￥5.48
- 现货
- 41
50个/盒
总额￥0
近期成交2单
- 线圈电压
- 5V
- 触点形式
- 一组常开:1A(单刀单掷-常开)
- 引脚数
- 4
- 触点容量(电阻负载)
- 16A@250VAC
描述电流16A,5VDC,1组常开，0.2W
- 收藏
- 对比
- ￥7.87
- ￥6.51
- ￥5.76
- ￥4.91
- ￥4.54
- ￥4.37
50个/托盘
总额￥0
近期成交8单
- 线圈电压
- 5V
- 触点形式
- 一组常开:1A(单刀单掷-常开)
- 触点容量(电阻负载)
- 16A@250VAC；17A@125VAC；12A@250VAC
- 最大切换电压
- 277V@AC；24V@DC
描述线圈电压： DC5V 触点形式： 一组常开 引脚数量： 4pin 阻性负载： 17A 125VAC 16A 250VAC
- 收藏
- 对比
- ￥2.12
- ￥2.07
- ￥2.03
- ￥2
- 现货
- 100
100个/托盘
总额￥0
近期成交4单
- 线圈电压
- 5V
- 触点容量(电阻负载)
- 16A@250VAC；5A@250VAC；10A@125VAC；10A@30VDC
- 最大切换电压
- 30V@DC；217V@AC
- 额定线圈功率
- 450mW
描述特性：5A/10A触点切换能力。 线圈与触点间介质耐电压4kV。 满足加强绝缘要求。 UL级绝缘等级：F级。 印制板式引出端
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥2.66
- ￥2.08
- ￥1.84
- 现货
- 99
100个/盒
总额￥0
近期成交6单
- 线圈电压
- 12V
- 触点形式
- 一组常开:1A(单刀单掷-常开)
- 引脚数
- 4
- 最大切换电压
- 277V@AC；28V@DC
描述特性：具有5A、8A、10A、16A,TV-5切换能力。 超小型、低功耗、防震、抗摔。 750度，850度灼热丝可选择，全环保型。 符合使用环境温度85℃、105℃
- 收藏
- 对比
- ￥3
- ￥2.35
- ￥2.07
- 现货
- 1
100个/盒
总额￥0
近期成交1单
- 线圈电压
- 12V
- 触点形式
- 一组常开:1A(单刀单掷-常开)
- 引脚数
- 4
- 最大切换电压
- 277V@AC；28V@DC
描述特性：具有5A、8A、10A、16A,TV-5切换能力。 超小型、低功耗、防震、抗摔。 750度，850度灼热丝可选择，全环保型。 符合使用环境温度85℃、105℃
SMT扩展库
- 收藏
- 对比
- ￥4.19
- ￥3.36
- ￥2.95
- ￥2.43
- ￥2.18
- ￥2.06
100个/盒
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.3mΩ@10V
描述HSU100P03 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU100P03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
- 收藏
- 对比
- ￥2.99
- ￥2.33
- ￥2.05
- ￥1.7
- ￥1.55
- ￥1.45
- 现货
- 1636
2500个/圆盘
总额￥0
近期成交9单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 232A
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 2.4V@150A,15V
- 栅极阈值电压(Vge(th))
- 5V@6mA
描述特性：IGBT4 = 第四代快速沟槽式IGBT。CAL4 = 软开关第四代CAL二极管。采用DBC技术（直接键合铜）的隔离铜底板。提高了功率循环能力。集成栅极电阻。适用于高达20kHz的更高开关频率。应用：交流逆变器驱动。UPS
- 收藏
- 对比
- ￥285.51
- ￥271.4
- 现货
- 32
8个/盒
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 160A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.8mΩ@10V
描述特性：专有新型沟槽技术。 RDS(ON) 典型值 = 4.0mΩ（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：高效 DC/DC 转换器。 同步整流
- 收藏
- 对比
- ￥3.162
- ￥2.135
- ￥1.512
- ￥1.316
- ￥1.196
- ￥1.136
- 现货
- 140
800个/圆盘
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥9.0535
- ￥7.543
- ￥6.384
- ￥5.4435
- ￥5.0255
- ￥4.845
- 现货
- 25
50个/管
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥8.1345
- ￥6.7915
- ￥6.052
- ￥5.2105
- ￥4.8365
- ￥4.6665
- 现货
- 18
50个/管
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥8.1345
- ￥6.7915
- ￥5.4485
- ￥4.607
- ￥4.233
- ￥4.063
- 现货
- 16
50个/管
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥9.3195
- ￥7.8185
- ￥6.384
- ￥5.4435
- ￥5.0255
- ￥4.845
- 现货
- 4
50个/管
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥8.1345
- ￥6.7915
- ￥6.052
- ￥5.2105
- ￥4.8365
- ￥4.6665
- 现货
- 48
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥8.1345
- ￥6.7915
- ￥6.052
- ￥5.2105
- ￥4.8365
- ￥4.6665
- 现货
- 10
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥8.1345
- ￥6.7915
- ￥6.052
- ￥5.2105
- ￥4.8365
- ￥4.6665
- 现货
- 10
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9mΩ@4.5V
描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥7.803
- ￥6.4515
- ￥5.712
- ￥4.8705
- ￥4.4965
- ￥4.335
- 现货
- 10
50个/管
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 375W
描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥8.721
- ￥7.2105
- ￥6.384
- ￥5.4435
- ￥5.0255
- ￥4.845
- 现货
- 10
50个/管
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V；9mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 375W
描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥8.721
- ￥7.2105
- ￥6.384
- ￥5.4435
- ￥5.0255
- ￥4.845
- 现货
- 10
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9mΩ@4.5V
描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.9V；
- 收藏
- 对比
- ￥8.721
- ￥7.2105
- ￥6.384
- ￥5.4435
- ￥5.0255
- ￥4.845
- 现货
- 53
50个/管
总额￥0
近期成交2单
- 耗散功率(Pd)
- 335W
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 150A
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 1.9V@150A,15V
描述特性：增加阻断电压能力至650V。 低电感设计。 低开关损耗。 低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。 Al₂O₃ 基板，低热阻。 紧凑设计。应用：三电平应用。 太阳能应用
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥187.63
- ￥169.4
- ￥161
- 现货
- 15
15个/托盘
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V；9mΩ@4.5V
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥9.215
- ￥7.7045
- ￥6.384
- ￥5.4435
- ￥5.0255
- ￥4.845
- 现货
- 50
50个/管
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 160A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.8mΩ@10V
描述特性：专有新型沟槽技术。 RDS(ON) 典型值 = 4.0mΩ（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：高效 DC/DC 转换器。 同步整流
- 收藏
- 对比
- ￥3.41
- ￥2.3192
- ￥1.6548
- ￥1.4406
- ￥1.3104
- ￥1.2432
- 现货
- 22
50个/管
总额￥0
近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 160A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 119W
描述30V 160A 3mΩ TO-220 低压大电流MOSFET 单管
RoHS
- 收藏
- 对比
- ￥3.14
- ￥2.46
- ￥2.18
- 现货
- 49
50个/管
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 294A
- 耗散功率(Pd)
- 300W
描述MOSFET管
- 收藏
- 对比
- ￥14.58
- ￥14.24
- ￥14.01
- 现货
- 1
1800个/圆盘
总额￥0
近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 210A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 375W
描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 收藏
- 对比
- ￥5.9535
- ￥5.733
- ￥5.292
- ￥5.0715
- ￥4.9392
- 库存
- 800
- 增量
- 1
- 最小包装
- 1个
总额￥0
