932-5VDC-SL-AHG_932-5VDC-SL-AHG采购信息-立创电子元器件商城

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932-5VDC-SL-AHG

品牌: NHC(汇龙仓)

封装: 插件,18.3x10.2mm

类目: 功率继电器

编号: C396980

线圈电压: 5V

触点形式: 一组常开:1A(单刀单掷-常开)

引脚数: 4

最大切换电压: 277V@AC；28V@DC

描述特性：具有5A、8A、10A、16A,TV-5切换能力。超小型、低功耗、防震、抗摔。 750度，850度灼热丝可选择，全环保型。符合使用环境温度85℃、105℃

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HSU100P03

品牌: HUASHUO(华朔)

封装: TO-252-2

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C845609

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 5.3mΩ@10V

描述HSU100P03 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSU100P03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

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SKM150GB12T4

品牌: Semikron

封装: 螺栓安装

类目: IGBT管/模块

编号: C20613172

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 232A

集射极饱和电压(VCE(sat)): 2.4V@150A,15V

栅极阈值电压(Vge(th)): 5V@6mA

描述特性：IGBT4 = 第四代快速沟槽式IGBT。CAL4 = 软开关第四代CAL二极管。采用DBC技术（直接键合铜）的隔离铜底板。提高了功率循环能力。集成栅极电阻。适用于高达20kHz的更高开关频率。应用：交流逆变器驱动。UPS

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KNB2708A

品牌: KIA

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C1509101

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 160A

导通电阻(RDS(on)): 4.8mΩ@10V

描述特性：专有新型沟槽技术。 RDS(ON) 典型值 = 4.0mΩ（VGS = 10V 时）。低栅极电荷，可降低开关损耗。快速恢复体二极管。应用：高效 DC/DC 转换器。同步整流

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CSD18532KCS-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19626754

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

描述台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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IPP052N06L3 G-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5456502

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

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IPP032N06N3G-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C709595

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

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IRF3805PBF-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18795086

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

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4N0604 TO220-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19626788

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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IPP037N06L3G-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20417601

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@4.5V

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PN0605-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20417734

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

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9992GP-HF-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22389137

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@4.5V

描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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IPP90N06S4L-04-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22389733

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

耗散功率(Pd): 375W

描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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IPP120N06S4-03-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22389309

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V；9mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 375W

描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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1+￥8.721
10+￥7.2105
50+￥6.384
100+￥5.4435
500+￥5.0255
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MTE2D4N06E3-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39832082

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@4.5V

描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.9V；

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F3L150R07W2E3_B11

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: 插件,62.8x56.7mm

类目: IGBT管/模块

编号: C535227

耗散功率(Pd): 335W

集射极击穿电压(Vces): 650V

集电极电流(Ic): 150A

集射极饱和电压(VCE(sat)): 1.9V@150A,15V

描述特性：增加阻断电压能力至650V。低电感设计。低开关损耗。低集电极-发射极饱和电压（VcEsat）。 Al₂O₃ 基板，低热阻。紧凑设计。应用：三电平应用。太阳能应用

RoHS

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30+￥161

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IRF1405PBF-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7463487

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V；9mΩ@4.5V

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50+￥6.384
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KNP2708A

品牌: KIA

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C1509102

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 160A

导通电阻(RDS(on)): 4.8mΩ@10V

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MS160N03FDT

品牌: MASPOWER(麦思浦)

封装: TO-220C

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41417584

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 160A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

耗散功率(Pd): 119W

描述30V 160A 3mΩ TO-220 低压大电流MOSFET 单管

RoHS

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IPT017N10NF2S

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: HSOF-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18203085

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 294A

耗散功率(Pd): 300W

描述MOSFET管

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STP190N55LF3-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2680811

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

耗散功率(Pd): 375W

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VBM1603

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: ITO-220AB-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C481015

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

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10+￥5.9535
100+￥5.733
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2000+￥4.9392

订货7-9个工作日

库存: 800

增量: 1

最小包装: 1个

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IPP048N06LG-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5456501

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V；9mΩ@4.5V

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10+￥5.9535
100+￥5.733
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订货7-9个工作日

库存: 800

增量: 1

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IRFB3306PBF-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7463535

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

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10+￥5.9535
100+￥5.733
200+￥5.292
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库存: 800

增量: 1

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TTG160N03GT

品牌: 无锡紫光微

封装: DFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C508078

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 160A

导通电阻(RDS(on)): 1.6mΩ@10V

描述特性：沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。针对快速开关应用进行优化。应用：DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

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RU60100R-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41370071

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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HM3307B-VB

品牌: VBsemi(微碧半导体)

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41370141

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 210A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

描述TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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IPB100P03P3L-04

品牌: Infineon(英飞凌)

封装: TO-263-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C3277074

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 4mΩ@10V

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IXTH140N075L2

品牌: Littelfuse(美国力特)

封装: TO-247

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6069338

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 75V

连续漏极电流(Id): 140A

耗散功率(Pd): 540W

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APTGLQ200A120T3AG

品牌: MICROCHIP(美国微芯)

封装: -

类目: IGBT管/模块

编号: C17269775

IGBT类型: FS(场截止)

耗散功率(Pd): 1.25kW

集射极击穿电压(Vces): 1.2kV

集电极电流(Ic): 400A

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