HT-LFCN-1200 _HT-LFCN-1200 采购信息-立创电子元器件商城

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HT-LFCN-1200+

品牌: HenryTech(恒利泰)

封装: SMD-4P,3.2x1.6mm

类目: RF滤波器

编号: C5333282

滤波器类型: 低通

截止频率: 1.59GHz

阻抗: 50Ω

插入损耗: 1dB

描述LTCC Low Pass Filter, DC-1200 MHz, 50Ω

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LFCN-1200+

品牌: Mini-Circuits

封装: SMD-4P,3.2x1.6mm

类目: RF滤波器

编号: C879869

滤波器类型: 低通

截止频率: 1.53GHz

阻抗: 50Ω

插入损耗: 1dB

描述特性：出色的功率处理能力，10W。体积小。7 节。温度稳定。LTCC 结构。受美国专利 6,943,646 保护。应用：谐波抑制。VHF/UHF 发射机/接收机

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LFCN-1200D+

品牌: Mini-Circuits

封装: SMD3216-4P

类目: 陶瓷滤波器

编号: C4989973

滤波器类型: 低通滤波器

中心频率: 1.53GHz

截止频率: 1.53GHz

阻抗: 50Ω

描述特性：出色的功率处理能力，10W。小尺寸，7节。温度稳定的LTCC结构。受美国专利6,943,646保护。应用：谐波抑制。 VHF/UHF发射器/接收器

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1+￥26.16
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近期成交1单

PGT08N012H

品牌: HT(金誉)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C48783015

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 450A

导通电阻(RDS(on)): 0.9mΩ@10V

描述特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

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1+￥8.9395
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现货: 1291

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近期成交12单

PGN04N060

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42457643

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 4.8mΩ@10V

描述特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：电池管理系统。电机驱动器

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SMT补贴嘉立创库存4450

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5+￥1.22075
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150+￥0.85823
500+￥0.72257
2500+￥0.66215
5000+￥0.62586

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现货: 4425

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近期成交13单

PGT08N033H

品牌: HT(金誉)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384079

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 200A

导通电阻(RDS(on)): 2.1mΩ@10V

描述特性：低导通电阻和低传导损耗。超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

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SMT补贴嘉立创库存1759

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1+￥4.5315
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100+￥2.8215
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现货: 1734

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近期成交4单

PGY10N037

品牌: HT(金誉)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384088

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 202A

导通电阻(RDS(on)): 3.1mΩ@10V

描述特性：快速开关。低RDS(on)和FOM。低栅极电荷。应用：高频开关。同步整流

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SMT补贴嘉立创库存1613

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1+￥5.9185
10+￥4.7975
30+￥4.2465
100+￥3.686
500+￥3.3535
800+￥3.192

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现货: 1613

800个/圆盘

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近期成交2单

PTM30P30F8

品牌: HT(金誉)

封装: DFN-8L(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384222

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 16.5mΩ@4.5V；12.4mΩ@10V

描述特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围 (150℃)。应用：电源管理。负载开关

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SMT补贴嘉立创库存9368

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5+￥0.72504
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150+￥0.494
500+￥0.43624
2500+￥0.389975
5000+￥0.36689

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现货: 9365

5000个/圆盘

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近期成交3单

PGN10N052

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384064

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 110A

导通电阻(RDS(on)): 3.9mΩ@10V

描述特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

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SMT补贴嘉立创库存4464

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1+￥2.6125
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现货: 4422

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近期成交7单

PGT10N015H

品牌: HT(金誉)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384080

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 433A

导通电阻(RDS(on)): 1.2mΩ@10V

描述特性：超低栅极电荷，降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用：交流/直流快速充电器的同步整流。电池管理

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SMT补贴嘉立创库存2427

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9.5折

1+￥8.7685
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30+￥6.3935
100+￥5.434
500+￥5.0065
1500+￥4.8165

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现货: 2422

1500个/圆盘

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近期成交8单

PTN30P03

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C48782986

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@4.5V；9mΩ@10V

描述特性：-4.5V逻辑电平控制。PDFN333 SMD封装。应用：高端负载开关。电池开关

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SMT补贴嘉立创库存4720

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5+￥1.17933
50+￥0.934135
150+￥0.82916
500+￥0.69806
2500+￥0.639635
5000+￥0.604675

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现货: 4720

5000个/圆盘

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近期成交1单

PTQ2025D

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384053

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 6.9mΩ@2.5V；5.8mΩ@4.5V

描述特性：低导通电阻和低传导损耗。 100%雪崩测试。应用：DC/DC转换器。电机控制和驱动

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SMT补贴嘉立创库存4910

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9.5折

5+￥0.946675
50+￥0.74993
150+￥0.66557
500+￥0.56031
2500+￥0.513475
5000+￥0.485355

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现货: 4910

5000个/圆盘

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近期成交4单

PGN04N070

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384065

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V

描述特性：快速开关能力。稳健设计，具有更好的EAS性能。超低导通电阻。应用：电池管理系统。电机驱动器

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SMT补贴嘉立创库存4553

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5+￥1.036545
50+￥0.821085
150+￥0.728745
500+￥0.61351
2500+￥0.56221
5000+￥0.53143

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现货: 4550

5000个/圆盘

个

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近期成交4单

PTN60P03

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384074

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@10V；10mΩ@4.5V

描述特性：高压设备的新技术。低导通电阻和低传导损耗。超低栅极电荷，降低驱动要求。应用：高端负载开关。电池开关

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SMT补贴嘉立创库存4975

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9.5折

5+￥1.036545
50+￥0.821085
150+￥0.728745
500+￥0.61351
2500+￥0.56221
5000+￥0.53143

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现货: 4975

5000个/圆盘

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近期成交2单

PTN3080

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C48782990

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@4.5V；3.9mΩ@10V

描述特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最高结温范围：150℃。应用：高端负载开关。电池开关

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SMT补贴嘉立创库存4990

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9.5折

5+￥1.02961
50+￥0.815575
150+￥0.7239
500+￥0.609425
2500+￥0.558505
5000+￥0.527915

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现货: 4990

5000个/圆盘

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近期成交1单

PGT10N027

品牌: HT(金誉)

封装: TOLL

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C48782995

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 200A

导通电阻(RDS(on)): 2.5mΩ@10V

描述特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围175℃。 100%雪崩测试。应用：电池管理。不间断电源（UPS）

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SMT补贴嘉立创库存1496

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9.5折

1+￥7.79
10+￥6.4885
30+￥5.776
100+￥4.9685
500+￥4.6075
1500+￥4.446

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现货: 1496

1500个/圆盘

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近期成交1单

PTQ40P40

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384057

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 10.4mΩ@10V；13.5mΩ@4.5V

描述特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围：150°C。 100%雪崩测试。应用：电池和负载开关

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SMT补贴嘉立创库存4810

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9.5折

5+￥1.036545
50+￥0.821085
150+￥0.728745
500+￥0.61351
2500+￥0.56221
5000+￥0.53143

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现货: 4810

5000个/圆盘

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近期成交3单

PTN40P40

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384066

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 9.6mΩ@10V；12.3mΩ@4.5V

描述特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。 100%雪崩测试。应用：电池和负载开关

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4850

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9.5折

5+￥0.95817
50+￥0.75905
150+￥0.673645
500+￥0.56715
2500+￥0.519745
5000+￥0.491245

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现货: 4850

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

PTN40N120

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384070

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 2.4mΩ@10V

描述特性：提供无铅环保器件。低导通电阻，以降低传导损耗。高雪崩电流。100%雪崩测试。应用：电源。DC-DC转换器

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4940

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9.5折

5+￥1.87264
50+￥1.48333
150+￥1.31651
500+￥1.108365
2500+￥1.015645
5000+￥0.96007

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现货: 4940

5000个/圆盘

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总额￥0

近期成交1单

PGT12N028H

品牌: HT(金誉)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384078

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 250A

导通电阻(RDS(on)): 2.2mΩ@10V

描述特性：最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：电池管理系统。电机控制和驱动

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SMT补贴嘉立创库存804

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1+￥7.5525
10+￥6.289
30+￥5.5955
100+￥4.807
500+￥4.465
1500+￥4.3035

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现货: 804

1500个/圆盘

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近期成交6单

PTM1816DE

品牌: HT(金誉)

封装: DFN-8L(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384223

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 18V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 4.1mΩ@4.5V

描述特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。应用：负载开关。 PWM应用

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5000

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9.5折

5+￥1.153965
50+￥0.91409
150+￥0.8113
500+￥0.68305
2500+￥0.625955
5000+￥0.59166

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现货: 5000

5000个/圆盘

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总额￥0

BAV99

品牌: HT(金誉)

封装: SOT-23

类目: 开关二极管

编号: C240618

二极管配置: 1对串联式

整流电流: 200mA

直流反向耐压(Vr): 70V

正向压降(Vf): 1.25V@150mA

描述特性：快速开关速度。适用于通用开关应用。高电导率

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2970

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50+￥0.068305
500+￥0.05396
3000+￥0.04598
6000+￥0.041135
24000+￥0.036955
51000+￥0.03477

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现货: 2950

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交2单

BC847

品牌: HT(金誉)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C24698138

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述特性：非常适合自动插入。适用于开关和音频放大器应用

RoHSSMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9882

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9.5折

50+￥0.076095
500+￥0.059755
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PTN25C03

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C48783010

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 38mΩ@5V；18mΩ@4.5V；13mΩ@10V；26mΩ@10V

描述特性：低导通电阻RDS(on)，在栅源电压VGS = 5V时。 5V逻辑电平控制。 N+P双沟道。 PDFN5X6-8L封装。无铅，符合RoHS标准。应用：DC风扇。无刷电机

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PGQ04N070

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384056

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 7.2mΩ@4.5V；5.1mΩ@10V

描述特性：快速开关能力。稳健设计，具有更好的EAS性能。超低导通电阻。应用：电池管理系统。电机驱动器

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PTQ6002

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384063

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 3.2mΩ@4.5V

描述使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

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PGN06P420

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384069

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 46mΩ@4.5V；35mΩ@10V

描述特性：改进的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围150℃。应用：DC风扇。无刷电机

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PTN3006

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384076

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 3.6mΩ@10V

描述特性：低导通电阻（RDS(on)）。 5V逻辑电平控制。应用：负载开关。电池开关

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PTN4080

品牌: HT(金誉)

封装: PDFN-8L(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384077

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 4.6mΩ@10V

描述特性：低导通电阻。快速开关。 100%雪崩测试。允许重复雪崩至最大结温

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PTD100P30

品牌: HT(金誉)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49384097

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@4.5V；35mΩ@10V

描述特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：DC-DC转换器。负载开关

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